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更多>>- 規格型號:71398783
- 頻率:32.768KHZ
- 尺寸:2.0x1.2x0.6mm
- 產(chǎn)品描述:小型貼片石英晶振,"CM2012H32768DZFT"外觀(guān)尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機,無(wú)線(xiàn)藍牙,平板電腦等電子數碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境...
西鐵城晶振,無(wú)源貼片晶振,CM2012H晶振,進(jìn)口石英晶體,CM2012H32768DZFT


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小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時(shí)鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因進(jìn)口晶振產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標準.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn),使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對晶體組件進(jìn)行退火,石英SMD晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

西鐵城晶振參數 | 符號 | CM2012H規格 |
公稱(chēng)頻率 | f_nom | 32.768KHZ |
頻率容許偏差 | f_tol | ±10ppm,±20ppm |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | 25℃±5ºC |
保存溫度范圍 | T_stg | −55ºC~+125ºC |
工作溫度范圍 | T_use | −40ºC~+85ºC |
負載容量 | CL | 6.0pF,7.0pF,9.0pF,12.5pF |
串聯(lián)電阻 | R1 | 70kΩ max |
絕對最大激勵等級 | DL最大值 | 1.0μW Max |
并聯(lián)電容 | C 0 | 1.3pF typ |
頻率老化程度 | f_age | ±3 x 10-6 |



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當晶振產(chǎn)品"CM2012H32768DZFT",存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì )受到影響.這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管低功耗晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
PCB設計指導
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個(gè)獨立于晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當應用于PCB板本身或PCB板體內部時(shí),機械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內部板體特性.
(2) 在設計時(shí)請參考相應的推薦封裝.
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用.
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.
耐焊性
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì )破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英耐高溫晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時(shí),當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì )增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.


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