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更多>>- 規格型號:85247803
- 頻率:32.768KHZ
- 尺寸:3.2x1.5x0.9mm
- 產(chǎn)品描述:3215mm體積的晶振,"CM315E32768DZFT"可以說(shuō)是目前小型數碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線(xiàn)通訊系統,無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng),已實(shí)現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超...
西鐵城晶振,SMD晶振,CM315E晶振,石英水晶振子,CM315E32768DZFT


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西鐵城晶振奉行的管理政策是“標題作為紀念公司保持活著(zhù)在這個(gè)時(shí)代”.日本制造業(yè)可持續發(fā)展的業(yè)務(wù)形式將在這樣一個(gè)追求快速多變的經(jīng)濟,而重視個(gè)人、社會(huì )和環(huán)境問(wèn)題.西鐵城晶振試圖滿(mǎn)足你在電子設備領(lǐng)域中成為龍頭企業(yè).
小體積貼片3215mm晶振,外觀(guān)小型,表面貼片型石英晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動(dòng)通信終端的基準時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(3.2×1.5×0.9mmtyp.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn),使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對晶體組件進(jìn)行退火,石英環(huán)保晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

西鐵城晶振參數 | 符號 | CM315E規格 |
公稱(chēng)頻率 | f_nom | 32.768KHZ |
頻率容許偏差 | f_tol | ±20ppm |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | 25℃±5ºC |
保存溫度范圍 | T_stg | −55ºC~+125ºC |
工作溫度范圍 | T_use | −40ºC~+85ºC |
負載容量 | CL | 4.0pF,6.0pF,8.0pF,9.0pF,12.5pF |
串聯(lián)電阻 | R1 | 70kΩ max |
絕對最大激勵等級 | DL最大值 | 1.0μW Max |
并聯(lián)電容 | C 0 | 0.95pF typ |
頻率老化程度 | f_age | ±3 x 10-6 |



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請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用無(wú)源晶振."CM315E32768DZFT"這個(gè)溫度涉及本體的和季節變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì )由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.
耐焊性
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì )破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
PCB設計指導
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個(gè)獨立于晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當應用于PCB板本身或PCB板體內部時(shí),機械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內部板體特性.
(2) 在設計時(shí)請參考相應的推薦封裝.
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用.
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用低功耗晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.


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