SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車(chē)動(dòng)力轉向控制器,編碼X1G0048010058，型號SG2016CAN是一款金屬面貼片型的有源晶振，SPXO振蕩器，高品質(zhì)晶振，高性能晶振，尺寸為2016mm，頻率為20MHZ，支持輸出CMOS，電壓1.6~3.6V，頻率穩定度為50pm，具備高質(zhì)量，低損耗，低抖動(dòng)低相位的特點(diǎn)，廣泛用于羅拉無(wú)線(xiàn)模塊，通訊模塊，汽車(chē)動(dòng)力轉向控制器等領(lǐng)域.
X1G0048010056貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實(shí)際操作中機器運動(dòng)方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(cháng)短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會(huì )使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩定.SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車(chē)動(dòng)力轉向控制器.

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車(chē)動(dòng)力轉向控制器  參數表

項目			符號		規格說(shuō)明	條件
					SG2016CAN
輸出頻率范圍			F0		1.2 MHz ~ 75 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
					1.6 V ~ 3.63 V	請參考1
工作溫度			T_use		-40 oC ~ +85 °C / -40 oC ~ +105 °C / -40 oC ~ +105 °C	裸存
頻率穩定度			f_tol		D:   25 × 10-6 ,	-20 oC ~ +70 oC
					J:   50 × 10-6
					L    100 × 10-6
功耗			ICC		3.0 mA Max.	無(wú)負載條件 f0=75MHZ
待機電流			I_std		2.7 µA Max.	ST=GND
占空比			SYM		40 % ~ 55 %	50% Vcc 極，L_CMOS ≤15pf
輸出電壓			VOH		Vcc -0.4 Min.
			VOL		0.4V Max.
輸出負載條件(CMOS)			L_CMOS		15 pF Max.
輸入電壓			VIH		80 % VCC Min.	ST 終端
			VIL		20 % VCC Max.
上升/下降時(shí)間			tr/ tf		4 ns Max.	20% Vcc~80% Vcc 極，L_CMOS ≤15pf			20 % VCC   ~ 80 % VCC
振蕩啟動(dòng)時(shí)間			t_str		3 ms Max.	在 90 % VCC  時(shí)，所需時(shí)間為 0  秒
						(+105 °C,+125 °C : 5 ms Max.)
頻率老化			f_aging		3    10-6 / year Max.	+25 °C,  第一年， VCC=1.8 V, 2.5 V, 3.3 V

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車(chē)動(dòng)力轉向控制器  尺寸圖

編碼	品牌	型號	頻率	尺寸	輸出方式	電源電壓	工作溫度	Freq. Tol./頻率偏差
X1G0048010002	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010012	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010014	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010016	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	74.250000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010018	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010019	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-100 ppm
X1G0048010020	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010021	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	27.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010022	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	40.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-100 ppm
X1G0048010024	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010025	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	38.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010003	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010007	愛(ài)普生SPXO振蕩器	SG2016CAN	12.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010013	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	50.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010026	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	33.333300 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010027	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	10.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010028	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	50.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010029	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	10.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010030	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	4.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010031	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	24.576000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010035	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010036	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	40.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010039	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010040	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010044	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	12.288000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010045	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	8.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010046	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	8.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010049	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	4.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010050	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	12.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010051	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	12.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010052	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	12.288000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010053	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	12.288000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010054	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	14.745600 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010055	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	14.745600 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010056	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010057	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010058	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010059	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS晶體振蕩器	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010060	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	24.576000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010061	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	27.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010062	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	32.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010063	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	32.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010064	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	33.330000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010065	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	33.330000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010066	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	33.333300 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010067	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	40.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010068	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010069	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010070	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	50.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010071	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010072	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010073	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	2.250 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010076	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	32.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010077	愛(ài)普生振蕩器	SG2016CAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm

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