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首頁(yè)歐美晶振Ecliptek晶振Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體

    Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體

  • 規格型號:10542722
  • 頻率:20MHZ
  • 尺寸:2.0*1.6mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體,日蝕晶振,歐美晶振,SMD晶體,無(wú)源晶體,石英晶體,型號EB1620,編碼EB1620JA10-20.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶體諧振器,尺寸為2016mm,頻率20MHZ,精度15ppm,負載...
    Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體,日蝕晶振,歐美晶振,SMD晶體,無(wú)源晶體,石英晶體,型號EB1620,編碼EB1620JA10-20.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶體諧振器,尺寸為2016mm,頻率20MHZ,精度15ppm,負載10PF,工作溫度-40~+85°C,產(chǎn)品具有優(yōu)良的高品質(zhì)低損耗的特點(diǎn),非常適合用于智能家居.無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò ).通信產(chǎn)品等領(lǐng)域.
    EB1620JA10-19.200M-TR普通貼片石英晶振外觀(guān)使用金屬材料封裝的,具有高穩定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀(guān)本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機上對應自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢.Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體
EB1620JA10-20.000M-TR晶振   參數表
日蝕晶振規格 單位 EB1620晶振頻率范圍 石英晶振基本條件
標準頻率 f_nom 20MHZ 標準頻率
儲存溫度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標準溫度
激勵功率 DL 0.5μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±15 × 10-6  +25°C 對于超出標準的規格說(shuō)明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,
http://www.luck-168.com.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±30× 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標準的規格請聯(lián)系我們.
負載電容 CL 10pF ~ ∞ 超出標準說(shuō)明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 120 Ohms -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 
Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體  尺寸圖
EB1620JA10-20.000M-TR晶振  在使用晶振時(shí)應注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì )在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請勿使用.因為無(wú)論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì )給晶振照成不良影響.
2:輻射
貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì )導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽(yáng)光長(cháng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無(wú)源晶體
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì )損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
歐美晶振編碼 供應商 系列 類(lèi)型 頻率 頻率穩定性 頻率容差 負載電容
E8WSDC12-32.768K TR Ecliptek E8WS kHz 晶體(音叉) 32.768 kHz - ±20ppm 12.5pF
EA2532LA18-24.000M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 24 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-7.3728M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 7.3728 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SCA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 8 MHz ±100ppm ±50ppm 18pF
E1SFA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SEA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 8 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SDA12-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EA2532LA18-16.000M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 16 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
EA2532LA18-20.000M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 20 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
EA2532QA18-24.000M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 24 MHz ±20ppm ±15ppm 18pF
EA2532QA18-14.7456M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 14.7456 MHz ±20ppm ±15ppm 18pF
EA2532QA18-25.000M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 25 MHz ±20ppm ±15ppm 18pF
EA2532QA08-16.000M TR Ecliptek EA2532 MHz 晶體 16 MHz ±20ppm ±15ppm 8pF
EB1620JA10-27.120M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 27.12 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620JA10-20.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 20 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620JA10-19.200M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 19.2 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620JA10-26.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 26 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620JA10-27.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 27 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB2532JA12-24.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 24 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-28.63636M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 28.63636 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-13.560M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 13.56 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-27.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 27 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-40.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 40 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB1620YA10-24.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 24 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620YA10-26.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 26 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620YA10-24.576M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 24.576 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620YA10-25.000M TR Ecliptek晶振 EB1620 MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB2532YA12-40.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 40 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-25.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-12.288M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12.288 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-27.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 27 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-20.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 20 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-26.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 26 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-28.63636M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 28.63636 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB1216JA10-27.120M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 27.12 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216JA10-27.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 27 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620YA10-32.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 32 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF

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