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更多>>設計電路與石英晶振如何相得益彰
來(lái)源：http://www.luck-168.com.cn 作者：dgkjly 2013年10月14
設計電路要找到匹配的晶振相互配合,補充,才能顯出各自的長(cháng)處,電子工程師初期會(huì )篩選晶振供應商,來(lái)提供電路需要的晶振型號及相關(guān)參數.帝國科技擁有十幾年的豐富經(jīng)驗,從研發(fā)晶振到電路設計已經(jīng)有相當成熟經(jīng)驗.那么先從大家用的最多的32.768K石英晶振 ,石英晶振匹配IC,石英晶振的驅動(dòng)電壓和功率,晶振焊接溫度及振蕩模式相關(guān)知識技術(shù)給大家分享.
以下有帝國小齊整理收集晶振電路設計知識.
電路設計和晶振的關(guān)鍵性參數:
驅動(dòng)級（DL）,石英晶振|振蕩頻率和負載電容（CL）
石英晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線(xiàn)
石英晶振驅動(dòng)級（DL）
晶體單元的驅動(dòng)器的運行功率或電流消耗水平（對照電路圖9,10,11）.
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石英晶體單元操作的權力過(guò)大,這可能會(huì )導致晶體芯片的頻率不穩定或物理故障的退化.您的電路設計在絕對最大驅動(dòng)電平.
石英晶振|振蕩頻率和負載電容（CL）
負載電容（CL）是一個(gè)確定的石英晶振|振蕩電路的頻率參數. CL是代表一個(gè)有效的等效電容,加載從石英晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(對照電路圖12,13).
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石英晶振|振蕩頻率會(huì )有所不同,這取決于負載電容
石英晶振|振蕩電路.為了獲得理想的頻率精度,貼片晶振|振蕩電路的負載電容和晶體單元之間的匹配是必需的.為使用的晶體單元,配合晶體單元的負載電容的石英晶振|振蕩電路的負載電容.
振蕩津貼
為了確保穩定的振蕩電路的負電阻應該顯著(zhù)高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）.確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大.
振蕩津貼的評價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動(dòng)或停止.近似的負阻電路是通過(guò)增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后,逐漸使Rx值較大時(shí),得到的值.
負阻 - R的|= RX+復
|-R的是一個(gè)至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）.大的價(jià)值* Re為振蕩過(guò)程中的有效電阻值.
RE = R1（1+ CO/ CL的）2
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【晶振頻率溫度曲線(xiàn)】
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音叉晶體的頻率溫度特性的負二次曲線(xiàn),其中有一個(gè)高峰期在25ºC每左圖所示.
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因為頻率的幅度變化變得越來(lái)越大,溫度范圍變寬.
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A:拋物系數T:給定的溫度,鈦成交額溫度的.晶振的歷史悠久,不要小看一顆小小的晶振,他確蘊藏著(zhù)無(wú)窮的力量,這給新的電子工程師造成了許多困擾,但是你很幸運,如果你對晶振電路設計還不是很熟練,可以參考一下,希望對你有幫助.請繼續關(guān)注帝國博客將會(huì )給讀者帶來(lái)更多晶振知識,本文晶振與電路設計如果匹配本節完.如果有不清楚的地方可在線(xiàn)咨詢(xún)QQ或貿易通,感謝關(guān)注！
作者：帝國科技
以下有帝國小齊整理收集晶振電路設計知識.
電路設計和晶振的關(guān)鍵性參數:
驅動(dòng)級（DL）,石英晶振|振蕩頻率和負載電容（CL）
石英晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線(xiàn)
石英晶振驅動(dòng)級（DL）
晶體單元的驅動(dòng)器的運行功率或電流消耗水平（對照電路圖9,10,11）.
石英晶體單元操作的權力過(guò)大,這可能會(huì )導致晶體芯片的頻率不穩定或物理故障的退化.您的電路設計在絕對最大驅動(dòng)電平.
石英晶振|振蕩頻率和負載電容（CL）
負載電容（CL）是一個(gè)確定的石英晶振|振蕩電路的頻率參數. CL是代表一個(gè)有效的等效電容,加載從石英晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(對照電路圖12,13).
石英晶振|振蕩頻率會(huì )有所不同,這取決于負載電容
石英晶振|振蕩電路.為了獲得理想的頻率精度,貼片晶振|振蕩電路的負載電容和晶體單元之間的匹配是必需的.為使用的晶體單元,配合晶體單元的負載電容的石英晶振|振蕩電路的負載電容.
振蕩津貼
為了確保穩定的振蕩電路的負電阻應該顯著(zhù)高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）.確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大.
振蕩津貼的評價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動(dòng)或停止.近似的負阻電路是通過(guò)增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后,逐漸使Rx值較大時(shí),得到的值.
負阻 - R的|= RX+復
|-R的是一個(gè)至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）.大的價(jià)值* Re為振蕩過(guò)程中的有效電阻值.
RE = R1（1+ CO/ CL的）2
【晶振頻率溫度曲線(xiàn)】
音叉晶體的頻率溫度特性的負二次曲線(xiàn),其中有一個(gè)高峰期在25ºC每左圖所示.
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因為頻率的幅度變化變得越來(lái)越大,溫度范圍變寬.
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A:拋物系數T:給定的溫度,鈦成交額溫度的.晶振的歷史悠久,不要小看一顆小小的晶振,他確蘊藏著(zhù)無(wú)窮的力量,這給新的電子工程師造成了許多困擾,但是你很幸運,如果你對晶振電路設計還不是很熟練,可以參考一下,希望對你有幫助.請繼續關(guān)注帝國博客將會(huì )給讀者帶來(lái)更多晶振知識,本文晶振與電路設計如果匹配本節完.如果有不清楚的地方可在線(xiàn)咨詢(xún)QQ或貿易通,感謝關(guān)注！
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