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首頁(yè)進(jìn)口晶振CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,石英晶體,CFS-20632768DZFB

    CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,石英晶體,CFS-20632768DZFB

  • 規格型號:4911543
  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:2.0*6.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,"CFS-20632768DZFB"石英晶體,生產(chǎn)的32.768K晶體具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠(chǎng)均采用24小時(shí)老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種20ppm,10ppm,5ppm,也可以根據客戶(hù)需求...

      CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,石英晶體,生產(chǎn)的32.768K晶體,"CFS-20632768DZFB",具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠(chǎng)均采用24小時(shí)老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶(hù)需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產(chǎn)品使用溫度高溫可達到+70°低溫可達到-40°產(chǎn)品被廣泛應用到比較高端的汽車(chē)電子產(chǎn)品,民用產(chǎn)品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產(chǎn)品.

西鐵城晶振參數 符號 CFS-206規格
公稱(chēng)頻率 f_nom 32.768KHZ
頻率容許偏差 f_tol ±20ppm
頂點(diǎn)溫度 Ti +25±5ºC
保存溫度范圍 T_stg −40ºC to+85ºC
工作溫度范圍 T_use −20ºC to+70ºC
負載容量 CL 12.5pF Max
串聯(lián)電阻 R1 50kΩ max
絕對最大激勵等級 DL最大值 100μW
并聯(lián)電容 0 0.9pF typ
頻率老化程度 f_age ±5 x 10-6




  
    2007年4月1日西鐵城集團完成了向純粹持股公司的體制轉變,并以此為契機,于4月6日制定了“西鐵城集團企業(yè)行動(dòng)憲章”. 西鐵城集團遵照“西鐵城集團企業(yè)行動(dòng)憲章”開(kāi)展事業(yè)活動(dòng),在完成企業(yè)的社會(huì )性責任的同時(shí),也為持續型社會(huì )的發(fā)展做出了貢獻.
    "CFS-20632768DZFB",  西鐵城提出的“為市民所喜愛(ài)、為市民做貢獻”的企業(yè)理念,是指通過(guò)“生產(chǎn)為市民所喜愛(ài)、為市民所親近的產(chǎn)品”,為全世界人民的美好生活做出廣泛貢獻.
      運用世界領(lǐng)先的小型精密技術(shù)發(fā)掘尚未被開(kāi)發(fā)出來(lái)的、符合人們期待和需求的產(chǎn)品及“新的款式“,不斷創(chuàng )造出實(shí)際價(jià)值.這就是西鐵城集團的“Micro Human Tech”——想象力和科學(xué)技術(shù)碰撞交融后的結晶.
      "CFS-20632768DZFB", 石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場(chǎng)及負電場(chǎng)時(shí), 空間系統為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì )相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應正電場(chǎng)區域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場(chǎng)區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì )相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應正電場(chǎng). (圖). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì )相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì )相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì )形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續給與能量, 石英材料就會(huì )與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應下氧原子的振幅與電場(chǎng)強度及電場(chǎng)對二氧化硅的向量角度有相對應的關(guān)系.在實(shí)際的應用上, 電場(chǎng)是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.


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