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更多>>- 規格型號:18063063
- 頻率:4.001~70.0MHZ
- 尺寸:8.8*3.0mm
- 產(chǎn)品描述:日本西鐵城CMR309T,"CMR309T48.000MABJTR"手機石英晶振,貼片音叉晶振,高精度晶片的拋光技術(shù):是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一...
日本西鐵城CMR309T,手機石英晶振,貼片音叉晶振,CMR309T48.000MABJTR


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日本西鐵城CMR309T,手機石英晶振,貼片音叉晶振,"CMR309T48.000MABJTR",高精度晶片的拋光技術(shù):是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

西鐵城晶振參數 | 符號 | CMR309T規格 |
公稱(chēng)頻率 | f_nom | 4.001MHZ~70.0MHZ |
頻率容許偏差 | f_tol | ±30ppm |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5ºC |
保存溫度范圍 | T_stg | −55ºC to+125ºC |
工作溫度范圍 | T_use | −40ºC to+85ºC |
負載容量 | CL | 18.0pF Max |
串聯(lián)電阻 | R1 | 500MΩ Min |
絕對最大激勵等級 | DL | 100μW Max |
并聯(lián)電容 | C 0 | 5.0pF typ |
頻率老化程度 | f_age | ±5 x 10-6 |



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2007年4月1日西鐵城集團完成了向純粹持股公司的體制轉變,并以此為契機,于4月6日制定了“西鐵城集團企業(yè)行動(dòng)憲章”. 西鐵城集團遵照“西鐵城集團企業(yè)行動(dòng)憲章”開(kāi)展事業(yè)活動(dòng),在完成企業(yè)的社會(huì )性責任的同時(shí),也為持續型社會(huì )的發(fā)展做出了貢獻."CMR309T48.000MABJTR",
西鐵城提出的“為市民所喜愛(ài)、為市民做貢獻”的企業(yè)理念,是指通過(guò)“生產(chǎn)為市民所喜愛(ài)、為市民所親近的產(chǎn)品”,為全世界人民的美好生活做出廣泛貢獻.
運用世界領(lǐng)先的小型精密技術(shù)發(fā)掘尚未被開(kāi)發(fā)出來(lái)的、符合人們期待和需求的產(chǎn)品及“新的款式“,不斷創(chuàng )造出實(shí)際價(jià)值.這就是西鐵城集團的“Micro Human Tech”——想象力和科學(xué)技術(shù)碰撞交融后的結晶.

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