您好，歡迎光臨帝國科技！
產(chǎn)品分類(lèi)
PRODUCT
PRODUCT
- 國產(chǎn)晶振
- 聲表面濾波器
- 石英晶體
- 石英晶振
- 貼片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 陶瓷霧化片
- 進(jìn)口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 愛(ài)普生晶振
- 西鐵城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本進(jìn)口NDK晶體
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶體
- 臺灣鴻星晶體
- 美國CTS晶體
- 微孔霧化片
- 加高晶振
- 希華石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
帝國博客
更多>>
- 規格型號：96471301
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：3.2*1.5mm詳情內容請瀏覽PDF文檔
- 產(chǎn)品描述：貼片表晶32.768K系列具有超小型,"1TJF125DP1AI115"薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標準,滿(mǎn)足...
DST310S貼片晶振,KDS音叉水晶振蕩器,32.768K晶振,1TJF125DP1AI115
.jpg)
DST310S貼片晶振,KDS音叉水晶振蕩器,32.768K晶振,"1TJF125DP1AI115"高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
| 規格參數 | DST310S |
| 頻率范圍 | 32.768KHZ |
| 負載電容 | 9pF,10pF,12.5pF |
| 工作溫度 | -40~+85℃ |
| 存儲溫度 | -40~+85℃ |
| 頂點(diǎn)溫度 | +25℃ ± 5℃ |
| 周波數偏差 | ±30×10-6(at 25℃) |
| 二次溫度系數 | -0.04×10-6 /℃2 max |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max |
.jpg)
"1TJF125DP1AI115"石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場(chǎng)及負電場(chǎng)時(shí), 空間系統為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì )相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應正電場(chǎng)區域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場(chǎng)區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì )相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì )相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì )相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì )形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續給與能量, 石英材料就會(huì )與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應下氧原子的振幅與電場(chǎng)強度及電場(chǎng)對二氧化硅的向量角度有相對應的關(guān)系.在實(shí)際的應用上, 電場(chǎng)是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.
.jpg)
.jpg)
"1TJF125DP1AI115"大真空正在不斷努力提供世界級的質(zhì)量和高水平的滿(mǎn)意度為我們的客戶(hù)在日本和海外.訂單從我們的客戶(hù)通過(guò)Kakogawa傳達給生產(chǎn)基地在日本總部以及泥火山辦公室在東京和名古屋.這些國內業(yè)務(wù)基地通過(guò)主機相連,使我們能夠集中控制訂單的接收,生產(chǎn)在我們的工廠(chǎng),產(chǎn)品交付、庫存控制和客戶(hù)管理.在這個(gè)網(wǎng)絡(luò )系統下,我們取得了很高的世界各地的客戶(hù)滿(mǎn)意度.我們正在積極擴大存在石英設備在全球范圍內,來(lái)自美國、英國、德國、中國、新加坡、泰國和其他亞洲國家.
大真空電子自公司成立以來(lái),秉持對環(huán)境保護承諾之宣言：『還給后代一個(gè)干凈的地球』,所有活動(dòng)應遵從
以下政策：
1."1TJF125DP1AI115"新產(chǎn)品自設計階段至成品完成后之服務(wù)即應考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會(huì )造成污染之原物料及制程；對污染之防治應從根源解決問(wèn)題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導原則.
2.若無(wú)法避免需產(chǎn)生或使用時(shí),應管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續性之追蹤管制、改進(jìn)并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性（能）資源使用,應從系統研究改善使用效率,以達成節約能源之目標.
3.公司所有活動(dòng)皆遵循環(huán)保法規及承諾,作好綠色設計與生產(chǎn)以及污染預防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實(shí)施相關(guān)預防矯正、持續改善作業(yè),落實(shí)與維護環(huán)境保護,響應全球環(huán)保運動(dòng).
4.藉由環(huán)境稽核確認環(huán)境改善績(jì)效,使公司所有活動(dòng)過(guò)程均能達成環(huán)境目標及標的,并期望透過(guò)全體員工共同努力,貢獻愛(ài)護地球的一份心力.
深圳市帝國科技有限公司SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
聯(lián)系人：譚蘭艾 手 機：86-13826527865
電 話(huà)：86-0755-27881119 QQ：921977998
E-mail：dgkjly@163.com
網(wǎng) 址：www.luck-168.com.cn
地 址：中國廣東省深圳市寶安區西鄉大道新湖路
業(yè)務(wù)經(jīng)理
