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帝國博客
更多>>- 規(guī)格型號:96471301
 - 頻率:32.768KHZ
 - 尺寸:3.2*1.5mm詳情內容請瀏覽PDF文檔
 - 產(chǎn)品描述:貼片表晶32.768K系列具有超小型,"1TJF125DP1AI115"薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足...
 
DST310S貼片晶振,KDS音叉水晶振蕩器,32.768K晶振,1TJF125DP1AI115
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DST310S貼片晶振,KDS音叉水晶振蕩器,32.768K晶振,"1TJF125DP1AI115"高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

| 規(guī)格參數(shù) | DST310S | 
| 頻率范圍 | 32.768KHZ | 
| 負載電容 | 9pF,10pF,12.5pF | 
| 工作溫度 | -40~+85℃ | 
| 存儲溫度 | -40~+85℃ | 
| 頂點溫度 | +25℃ ± 5℃ | 
| 周波數(shù)偏差 | ±30×10-6(at 25℃) | 
| 二次溫度系數(shù) | -0.04×10-6 /℃2 max | 
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year | 
| 起動時間 | 2.0ms max | 

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		    "1TJF125DP1AI115"石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場區(qū)域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場,硅原子上方產(chǎn)生感應正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應的關系.在實際的應用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
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    大真空電子自公司成立以來,秉持對環(huán)境保護承諾之宣言:『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從
	以下政策:
	    1."1TJF125DP1AI115"新產(chǎn)品自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導原則.
	    2.若無法避免需產(chǎn)生或使用時,應管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達成節(jié)約能源之目標.
	    3.公司所有活動皆遵循環(huán)保法規(guī)及承諾,作好綠色設計與生產(chǎn)以及污染預防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實施相關預防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實與維護環(huán)境保護,響應全球環(huán)保運動.
	    4.藉由環(huán)境稽核確認環(huán)境改善績效,使公司所有活動過程均能達成環(huán)境目標及標的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.

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