您好,歡迎光臨帝國科技!
產(chǎn)品分類(lèi)
PRODUCT
PRODUCT
- 國產(chǎn)晶振
- 聲表面濾波器
- 石英晶體
- 石英晶振
- 貼片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 陶瓷霧化片
- 進(jìn)口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 愛(ài)普生晶振
- 西鐵城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本進(jìn)口NDK晶體
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶體
- 臺灣鴻星晶體
- 美國CTS晶體
- 微孔霧化片
- 加高晶振
- 希華石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
帝國博客
更多>>- 規格型號:66280124
- 頻率:12~48MHZ
- 尺寸:2.5*2.0*0.55mm
- 產(chǎn)品描述:小型貼片石英晶振,"FA-20H 12.0000MD30Z-K3"外觀(guān)尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機,無(wú)線(xiàn)藍牙,平板電腦等電子數碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的...
EPSON晶振原裝正品,石英晶振FA-20H,平板電腦專(zhuān)用晶振,FA-20H 12.0000MD30Z-K3


.jpg)
EPSON晶振原裝正品,石英晶振FA-20H,平板電腦專(zhuān)用晶振,"FA-20H 12.0000MD30Z-K3",小尺寸的貼片石英晶振,目前生產(chǎn)上采用了高技術(shù)的封裝模式,光刻石英晶片技術(shù),并且通過(guò)結合以往低速滾筒倒邊去除晶片的邊緣效應,在實(shí)際操作中機器運動(dòng)方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(cháng)短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會(huì )使晶片的邊緣效應不能去除,而晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩定.

愛(ài)普生晶振規格 | 符號 | 規格說(shuō)明 | 條件 | |
---|---|---|---|---|
用于RF參考 | 用于時(shí)鐘 | |||
額定頻率范圍 | f_nom | 12.000MHz ~ 48.000MHz |
基頻 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。 |
|
儲存溫度范圍 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 | |
工作溫度范圍 | T_use | -40°C ~ +85°C | ||
激勵功率 | DL | 100μW Max. | 200μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_tol |
±10 × 10-6 ~ ±30 × 10-6可用 *1 |
±30 × 10-6 |
+25°C 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。 |
頻率溫度特征 | f_tem |
±10 × 10-6 ~ ±30 × 10-6可用 *1 |
±30 × 10-6 |
-20°C ~ +75°C 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。 |
負載電容 | CL | 6pF ~ ∞ | 可指定。 | |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -20°C ~ +75°C | |
頻率老化 | f_age | ±1 × 10-6 ~ ±3 × 10-6 / 年 Max. *1 | +25°C,第一年 |
串聯(lián)電阻(ESR)
頻率 | 串聯(lián)電阻 |
---|---|
12.0MHz ≤ f_nom < 16.0MHz | 150Ω Max. |
16.0MHz ≤ f_nom ≤ 25.0MHz | 80Ω Max. |
25.0MHz < f_nom ≤ 30.0MHz | 60Ω Max. |
30.0MHz < f_nom ≤ 35.0MHz | 50Ω Max. |
35.0MHz < f_nom ≤ 48.0MHz | 40Ω Max. |

.jpg)

.jpg)
如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然.請檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況."FA-20H 12.0000MD30Z-K3",該晶體應正常后,諧振點(diǎn)的調整.如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn):
方法1:降低產(chǎn)品線(xiàn)路外部電容(Cd和CG)的值,并通過(guò)晶體具有較低負載電容(CL).
方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設計.
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來(lái)節省成本,保證安全.請用頻率計數器來(lái)測量所述晶體,以確保經(jīng)調整頻率仍然滿(mǎn)足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規格,請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率.請采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統不能正常工作,由于輸出頻率會(huì )偏差很大.

.jpg)
我們將持續關(guān)注企業(yè)社會(huì )責任各項新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì )責任所有面向.
對內,我們將透過(guò)各種教育訓練與活動(dòng),用心創(chuàng )造一個(gè)多元且充滿(mǎn)活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動(dòng));
對外,本公司透過(guò)與利害相關(guān)團體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì )責任活動(dòng),持續投入社會(huì )公益,降低對社會(huì )環(huán)境之沖擊.


SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
聯(lián)系人:譚蘭艾 手 機:86-13826527865
電 話(huà):86-0755-27881119 QQ:921977998
E-mail:dgkjly@163.com
網(wǎng) 址:www.luck-168.com.cn
地 址:中國廣東省深圳市寶安區西鄉大道新湖路