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帝國(guó)博客
更多>>- 規(guī)格型號(hào):66280124
 - 頻率:12~48MHZ
 - 尺寸:2.5*2.0*0.55mm
 - 產(chǎn)品描述:小型貼片石英晶振,"FA-20H 12.0000MD30Z-K3"外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的...
 
EPSON晶振原裝正品,石英晶振FA-20H,平板電腦專(zhuān)用晶振,FA-20H 12.0000MD30Z-K3
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EPSON晶振原裝正品,石英晶振FA-20H,平板電腦專(zhuān)用晶振,"FA-20H 12.0000MD30Z-K3",小尺寸的貼片石英晶振,目前生產(chǎn)上采用了高技術(shù)的封裝模式,光刻石英晶片技術(shù),并且通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定.

| 愛(ài)普生晶振規(guī)格 | 符號(hào) | 規(guī)格說(shuō)明 | 條件 | |
|---|---|---|---|---|
| 用于RF參考 | 用于時(shí)鐘 | |||
| 額定頻率范圍 | f_nom | 12.000MHz ~ 48.000MHz | 
					基頻 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。  | 
			|
| 儲(chǔ)存溫度范圍 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 | |
| 工作溫度范圍 | T_use | -40°C ~ +85°C | ||
| 激勵(lì)功率 | DL | 100μW Max. | 200μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW | 
| 頻率公差 | f_tol | 
					±10 × 10-6 ~ ±30 × 10-6可用 *1  | 
				±30 × 10-6 | 
					+25°C 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。  | 
			
| 頻率溫度特征 | f_tem | 
					±10 × 10-6 ~ ±30 × 10-6可用 *1  | 
				±30 × 10-6 | 
					-20°C ~ +75°C 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。  | 
			
| 負(fù)載電容 | CL | 6pF ~ ∞ | 可指定。 | |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -20°C ~ +75°C | |
| 頻率老化 | f_age | ±1 × 10-6 ~ ±3 × 10-6 / 年 Max. *1 | +25°C,第一年 | |
串聯(lián)電阻(ESR)
| 頻率 | 串聯(lián)電阻 | 
|---|---|
| 12.0MHz ≤ f_nom < 16.0MHz | 150Ω Max. | 
| 16.0MHz ≤ f_nom ≤ 25.0MHz | 80Ω Max. | 
| 25.0MHz < f_nom ≤ 30.0MHz | 60Ω Max. | 
| 30.0MHz < f_nom ≤ 35.0MHz | 50Ω Max. | 
| 35.0MHz < f_nom ≤ 48.0MHz | 40Ω Max. | 

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		    如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況."FA-20H 12.0000MD30Z-K3",該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn):
	
		     方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容(CL).
	
		     方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
	
		     方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).
	
		    我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全.請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率.請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大.

     "FA-20H 12.0000MD30Z-K3",愛(ài)普生晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律,并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司. 
			     我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會(huì)責(zé)任各項(xiàng)新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任所有面向. 
		
			     對(duì)內(nèi),我們將透過(guò)各種教育訓(xùn)練與活動(dòng),用心創(chuàng)造一個(gè)多元且充滿活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動(dòng)); 
		
			     對(duì)外,本公司透過(guò)與利害相關(guān)團(tuán)體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任活動(dòng),持續(xù)投入社會(huì)公益,降低對(duì)社會(huì)環(huán)境之沖擊. 
	
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