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- 規格型號：46261097
- 頻率：9.6~40MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm詳細內容請瀏覽PDF文檔
- 產(chǎn)品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)...
KDS貼片溫補晶振,DSB221SDB晶振,通訊產(chǎn)品2520晶振
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KDS貼片溫補晶振,DSB221SDB晶振,通訊產(chǎn)品2520晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS 集成電路,DSB221SDB溫補振蕩器,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
| 規格參數 | DSB221SDB |
| 頻率范圍 | 9.6~40.0MHZ |
| 電源電壓 | +1.7V~+3.5V |
| 負載電容 | 10pF |
| 存儲溫度 | -40~+85℃ |
| 工作溫度 | -10~+70℃/-30~+85℃ |
| 溫度特征 |
±2.5×10-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10-6 max /-30~+85℃ (Option) |
| 消費電流 | 2.9mA max [No Load] |
| 對稱(chēng)性 | 45~55% [50% Vcc Level] |
| 輸出電壓 | Vcc×0.1 max / Vcc×0.9 min |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 相位抖動(dòng) | 1.5ps max (fo offset : 12KHz~5MHz) |
| 起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max |
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激勵功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅動(dòng)力,會(huì )導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率.
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì )增加.
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容.
近來(lái)由于污染排放總量管制受到應有重視,各種污染減量與管理機制的議題已陸續成為主管機關(guān)與企業(yè)間執行污染防制的重點(diǎn),而大真空電子本身由于受到環(huán)保機關(guān)污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類(lèi)相關(guān)環(huán)保議題的要求,亦訂定與規劃相關(guān)減量目標,全力保護有限的地球資源與環(huán)境.有鑒于環(huán)保意識抬頭,大真空電子多年來(lái)在環(huán)保工作上持續努力,期望藉由環(huán)境管理、自發(fā)且持續的改善,達到改善環(huán)境、減少環(huán)境沖擊的實(shí)質(zhì)目的.本公司于2002年6月開(kāi)始推行ISO 14001環(huán)境管理系統,持續改善整體環(huán)境并有助提高經(jīng)營(yíng)績(jì)效,同時(shí)強化內外銷(xiāo)競爭力與提升公司形象.我們承諾將會(huì )持續維護ISO 14001環(huán)境管何可能污染環(huán)境的因素,善盡社會(huì )責任.
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