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首頁(yè)進(jìn)口晶振DSB321SDB振蕩器,KDS有源晶振,3225貼片溫補晶振

    DSB321SDB振蕩器,KDS有源晶振,3225貼片溫補晶振

  • 規格型號:19786298
  • 頻率:9.6~40MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5mm詳細內容請瀏覽PDF文檔
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  • 產(chǎn)品描述:溫補晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆...

    DSB321SDB振蕩器,KDS有源晶振,3225貼片溫補晶振,產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.7V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無(wú)線(xiàn)通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

規格參數 DSB321SDB
頻率范圍 9.6~40.0MHZ
電源電壓 1.7~3.5V
負載電容 10pF
溫度特征 ±2.5×10-6 max /-30~+85℃
±2.5×10-6 max /-30~+85℃ (Option)
消費電流 +1.5mA max (f≤26MHZ)
+2.0mA max (26<f≤52MHZ)
+2.5mA max (f≤60MHZ)
負荷變動(dòng)特性 ±2.0×10-6 max (10KΩ//10pF±10%)
電源電壓特性 ±2.0×10-6 max (Vcc±5%)
老化率 ±1.0×10-6 max /year
起動(dòng)時(shí)間 2.0ms max




<SMD產(chǎn)品>
     SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實(shí)施搭載測試,確認其對特性沒(méi)有影響. 在切斷工序等會(huì )導致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊. 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì )使得晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內部傳播過(guò)大的振動(dòng),有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
<晶體振蕩器>
     晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
     有些晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內部連接.使用時(shí),請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機型請確認宣傳冊、規格書(shū).

   在所有領(lǐng)域的業(yè)務(wù)活動(dòng),從開(kāi)發(fā),生產(chǎn)和銷(xiāo)售水晶的應用產(chǎn)品,Daishinku集團業(yè)務(wù)策略促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
大真空集團將:
    主動(dòng)在能源和資源節約通過(guò)適當地控制物質(zhì)與環(huán)境的影響和減少它們的使用.
    有效利用資源,防止環(huán)境污染的減少和妥善處理廢物,包括重用和回收.
    防止全球變暖,開(kāi)展節能活動(dòng),減少二氧化碳排放.
    避免采購或使用礦物質(zhì),直接或間接金融或受益武裝組織在剛果民主共和國或鄰近的國家.
    遵守有關(guān)環(huán)境的法律、標準、協(xié)議和任何其他公司訂閱需求.
    基于這個(gè)環(huán)境政策制定環(huán)境目標和目標,同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng)還經(jīng)常審查環(huán)境管理體系的持續改進(jìn).
    教育所有員工和那些為我們組工作在我們的環(huán)境政策和提高環(huán)境保護的意識教育和宣傳活動(dòng).
    確保信息在我們的環(huán)境保護活動(dòng)是向公眾開(kāi)放.

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