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- 規(guī)格型號：19786298
- 頻率：9.6~40MHZ
- 尺寸：3.2*2.5mm詳細(xì)內(nèi)容請瀏覽PDF文檔
- 產(chǎn)品描述：溫補晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆...
DSB321SDB振蕩器,KDS有源晶振,3225貼片溫補晶振
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DSB321SDB振蕩器,KDS有源晶振,3225貼片溫補晶振,產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.7V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.
| 規(guī)格參數(shù) | DSB321SDB |
| 頻率范圍 | 9.6~40.0MHZ |
| 電源電壓 | 1.7~3.5V |
| 負(fù)載電容 | 10pF |
| 溫度特征 |
±2.5×10-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10-6 max /-30~+85℃ (Option) |
| 消費電流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (26＜f≤52MHZ) +2.5mA max (f≤60MHZ) |
| 負(fù)荷變動特性 | ±2.0×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) |
| 電源電壓特性 | ±2.0×10-6 max (Vcc±5%) |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起動時間 | 2.0ms max |
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＜SMD產(chǎn)品＞
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響. 在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊. 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接.關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.
在所有領(lǐng)域的業(yè)務(wù)活動,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售水晶的應(yīng)用產(chǎn)品,Daishinku集團(tuán)業(yè)務(wù)策略促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.
大真空集團(tuán)將:
主動在能源和資源節(jié)約通過適當(dāng)?shù)乜刂莆镔|(zhì)與環(huán)境的影響和減少它們的使用.
有效利用資源,防止環(huán)境污染的減少和妥善處理廢物,包括重用和回收.
防止全球變暖,開展節(jié)能活動,減少二氧化碳排放.
避免采購或使用礦物質(zhì),直接或間接金融或受益武裝組織在剛果民主共和國或鄰近的國家.
遵守有關(guān)環(huán)境的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何其他公司訂閱需求.
基于這個環(huán)境政策制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動還經(jīng)常審查環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).
教育所有員工和那些為我們組工作在我們的環(huán)境政策和提高環(huán)境保護(hù)的意識教育和宣傳活動.
確保信息在我們的環(huán)境保護(hù)活動是向公眾開放.
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