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首頁(yè)進(jìn)口晶振大真空晶振經(jīng)銷(xiāo)商,DSX210GE石英晶振,無(wú)線(xiàn)模塊專(zhuān)用晶體

    大真空晶振經(jīng)銷(xiāo)商,DSX210GE石英晶振,無(wú)線(xiàn)模塊專(zhuān)用晶體

  • 規格型號:7466422
  • 頻率:16.0~64.0MHZ
  • 尺寸:2.0*1.6mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:大真空晶振經(jīng)銷(xiāo)商,DSX210GE石英晶振,無(wú)線(xiàn)模塊專(zhuān)用晶體,高精度晶片的拋光技術(shù):是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到...

     大真空晶振經(jīng)銷(xiāo)商,DSX210GE石英晶振,無(wú)線(xiàn)模塊專(zhuān)用晶體,高精度晶片的拋光技術(shù):是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

規格參數 DSX210GE
頻率范圍 16.0~64.0MHz
負載電容 8pF,10pF,12pF
工作溫度 ±100×10-6/-40~+125℃(Ref.to 25℃)
存儲溫度 -40~+150℃
頂點(diǎn)溫度 +25℃ ± 5℃
周波數偏差 ±30×10-6(at 25℃)
二次溫度系數 -0.04×10-6 /max
老化率 ±1.0×10-6 max /year
起動(dòng)時(shí)間 2.0ms max



噪音
    在電源或輸入端上施加執行級別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會(huì )引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門(mén)或雜散現象.
電源線(xiàn)路
    電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低.
輸出負載
    建議將輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
    未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時(shí),當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì )增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
    重復的溫度巨大變化可能會(huì )降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.

    大真空電子自公司成立以來(lái),秉持對環(huán)境保護承諾之宣言:『還給后代一個(gè)干凈的地球』,所有活動(dòng)應遵從
以下政策:
    1.新產(chǎn)品自設計階段至成品完成后之服務(wù)即應考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會(huì )造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問(wèn)題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導原則.
    2.若無(wú)法避免需產(chǎn)生或使用時(shí),應管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續性之追蹤管制、改進(jìn)并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統研究改善使用效率,以達成節約能源之目標.
    3.公司所有活動(dòng)皆遵循環(huán)保法規及承諾,作好綠色設計與生產(chǎn)以及污染預防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實(shí)施相關(guān)預防矯正、持續改善作業(yè),落實(shí)與維護環(huán)境保護,響應全球環(huán)保運動(dòng).
    4.藉由環(huán)境稽核確認環(huán)境改善績(jì)效,使公司所有活動(dòng)過(guò)程均能達成環(huán)境目標及標的,并期望透過(guò)全體員工共同努力,貢獻愛(ài)護地球的一份心力.

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