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- 規格型號：56686798
- 頻率：1M-125M
- 尺寸：20*12mm 12*12mm
- 產(chǎn)品描述：石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合...
富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器，有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內部集成了相應IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級車(chē)間生產(chǎn)，并且在密封機器設備中焊接加蓋，內部封裝模式是指在真空封裝區域內進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設計過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數。
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有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設計過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數。
富士通晶振公司股份有限公司
位于日本山梨縣南都留郡富士河口湖町勝山1430-1
富士通晶振公司主要以石英晶振，電子元件，三端穩壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開(kāi)發(fā)，在于2013年開(kāi)始處理,軟件的開(kāi)發(fā),今后在有線(xiàn)、無(wú)線(xiàn)通信設備的本公司商品化目標。今后更能迅速滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。目前針對中國市場(chǎng)主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。
公司主要一些大事記：
1994年1月
500萬(wàn)日元的資本金為富士公司成立。
原工作中水晶設備企業(yè)的營(yíng)業(yè)將移交到富士com。
開(kāi)始銷(xiāo)售水晶設備。富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
位于日本山梨縣南都留郡富士河口湖町勝山1430-1
富士通晶振公司主要以石英晶振，電子元件，三端穩壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開(kāi)發(fā)，在于2013年開(kāi)始處理,軟件的開(kāi)發(fā),今后在有線(xiàn)、無(wú)線(xiàn)通信設備的本公司商品化目標。今后更能迅速滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。目前針對中國市場(chǎng)主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。
公司主要一些大事記：
1994年1月
500萬(wàn)日元的資本金為富士公司成立。
原工作中水晶設備企業(yè)的營(yíng)業(yè)將移交到富士com。
開(kāi)始銷(xiāo)售水晶設備。富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
| 石英晶振規格 | 單位 | FCO-100/FCO-200 20*12mm 12*12mm 晶振說(shuō)明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 1M-125MHZ | 晶振標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標準溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說(shuō)明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規格請聯(lián)系我們. |
| 負載電容 | CL | 15pF | 超出標準說(shuō)明,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
抗沖擊
石英晶體產(chǎn)品可能會(huì )在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì )導致產(chǎn)品性能受到損害，因此應避免照射富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些有源晶振產(chǎn)品。
石英晶體產(chǎn)品可能會(huì )在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì )導致產(chǎn)品性能受到損害，因此應避免照射富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些有源晶振產(chǎn)品。
進(jìn)口大體積有源晶振在選用晶片時(shí)應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長(cháng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。富士通晶振,溫補晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì )在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證時(shí)鐘晶體振蕩器產(chǎn)品的溫度特性。石英晶振產(chǎn)品電極的設計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡(jiǎn)單，第4項的設計很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì )導致第4項的變化。特別是歐美進(jìn)口石英晶振隨著(zhù)晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。
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