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- 規格型號：13565179
- 頻率：80M-250MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅動(dòng)2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動(dòng)高速貼片機自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對應）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地...
富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振，智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機,無(wú)線(xiàn)通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
石英晶振在選用晶片時(shí)應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長(cháng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。
對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì )在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
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石英晶振在選用晶片時(shí)應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長(cháng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。
對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì )在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
2008年6月
韓國將在國內銷(xiāo)售kec和kec制的半導體。
10月
晶振廠(chǎng)家參展東京商務(wù)峰會(huì )。
開(kāi)始銷(xiāo)售led燈。
12月
開(kāi)始銷(xiāo)售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
2012年7月
東芝產(chǎn)半導體開(kāi)始銷(xiāo)售。
2013年1月
軟件委托開(kāi)發(fā)開(kāi)始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)始銷(xiāo)售。
2014年7月
SMD晶振小規模事業(yè)者可持續發(fā)展補助金。
韓國將在國內銷(xiāo)售kec和kec制的半導體。
10月
晶振廠(chǎng)家參展東京商務(wù)峰會(huì )。
開(kāi)始銷(xiāo)售led燈。
12月
開(kāi)始銷(xiāo)售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
2012年7月
東芝產(chǎn)半導體開(kāi)始銷(xiāo)售。
2013年1月
軟件委托開(kāi)發(fā)開(kāi)始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)始銷(xiāo)售。
2014年7月
SMD晶振小規模事業(yè)者可持續發(fā)展補助金。
| 石英晶振規格 | 單位 | FDO-500 5.0*3.2mm 晶振說(shuō)明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 80M-250MHZ | 晶振標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標準溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說(shuō)明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規格請聯(lián)系我們. |
| 負載電容 | CL | 15pF | 超出標準說(shuō)明,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
7-1:機械振動(dòng)的影響
當晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì )受到影響。這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個(gè)獨立于貼片晶振晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時(shí)，機械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時(shí)請參考相應的推薦封裝。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
當晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì )受到影響。這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個(gè)獨立于貼片晶振晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時(shí)，機械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時(shí)請參考相應的推薦封裝。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
高性能OSC晶振石英晶振產(chǎn)品電極的設計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡(jiǎn)單，第4項的設計很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì )導致第4項的變化。特別是隨著(zhù)晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
差分晶體振蕩器的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把有源貼片晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱(chēng)為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
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