規格型號：12647329
頻率：10M-50MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：貼片晶振采用了多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍...

富士通晶振,貼片晶振,FSX-5M晶振,4腳石英晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機,無(wú)線(xiàn)通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

6035mm，5032mm，4025mm貼片晶振系列，其產(chǎn)品晶體晶片采用了真空退火技術(shù)：高真空退火處理是消除在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn)，使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對石英晶體組件進(jìn)行退火，通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高產(chǎn)品的主要參數的穩定性，提高產(chǎn)品的年老化特性。

該公司將與韓國sunny electronics公司、山梨的無(wú)線(xiàn)電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
晶振生產(chǎn)廠(chǎng)家為了提高質(zhì)量，還導入了網(wǎng)絡(luò )分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國transkelectronics。締結進(jìn)貨銷(xiāo)售合同。
2000年7月
臺灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷(xiāo)售合同。
2001年1月
“水晶震動(dòng)”自動(dòng)檢測裝置富士通晶振,貼片晶振,FSX-5M晶振,4腳石英晶振。
2005年8月
傳輸法水晶振蕩器，石英晶體諧振器自動(dòng)檢查裝置。
2008年6月
韓國將在國內銷(xiāo)售kec和kec制的半導體。

石英晶振參數	單位	FSX-5M 5032mm晶振
標準頻率范圍	f_nom	10 MHz – 50 MHz
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C
工作溫度	T_use	-10°C ~+70°C
激勵功率	DL	100μW
精度	f_— l	±30 ppm
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	18pF
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	60kΩ Max

9.2.自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì )破壞產(chǎn)品特性并影響這些SMD晶振產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí)，請重新檢查安裝條件。同時(shí)，在安裝前后，請確保晶體產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
9.3 富士通晶振,貼片晶振,FSX-5M晶振,4腳石英晶振每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項
（1）陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146) 之后，彎曲電路板會(huì )因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）。尤其在焊接這些無(wú)源晶體產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí)，務(wù)必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。

壓電石英晶振主要是利用石英材料（水晶）的壓電效應制成的5032四焊腳晶振電子原件和器件，壓電效應是一種機電能量互換的現象，壓電效應分為正壓電效應和逆壓電效應，正壓電效應是以機械應力及，應變（形變）作用而使物體產(chǎn)生電荷或電壓輸出。逆壓電效應是以電能輸入使之產(chǎn)生機械能或，位移（形變）的輸出。

如果把交變電壓施加到日本進(jìn)口石英晶振芯片兩個(gè)電極之間，當交變電壓的頻率與石英晶振芯片固有頻率一致時(shí)，通過(guò)逆壓電效應，芯片便產(chǎn)生機械振動(dòng)，同時(shí)又通過(guò)正壓電效應而輸出電信號。石英晶振材料的壓電效應是有方向性的，只有在電軸方向才具有壓電效應。石英貼片5032晶振有天然自然的結晶體，也有人工制造的結晶體。天然石英和人造石英均為多面體形狀。目前電子元器件使用的主要是人造石英材料。主要成分為SiO2富士通晶振,貼片晶振,FSX-5M晶振,4腳石英晶振。

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