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帝國博客
更多>>- 規格型號:15858123
 - 頻率:3.579M-85MHZ
 - 尺寸:11.5*4.65mm
 - 產品描述:插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環境...
 
富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器
	       富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器,引線型壓電石英晶體采用全新自動生產設備,嚴格的對每顆晶體各項參數指標檢測把關,比如電阻的測量技術:引進一批先進的檢測儀器,準確度達到±1ppm(國標標準)。在測量應用上制定一套標準的測量方法保證測量的準確性、儀器的精度、測試的一致性。如下方面都會對測量結果帶來影響引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.。
	1994年3月
為了擴充石英晶振水晶設備的銷售機型,
該公司將與韓國sunny electronics公司、山梨的無線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質量,還導入了網絡分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國transkelectronics。締結進貨銷售合同。
2000年7月
臺灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動”自動檢測裝置富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
2005年8月
傳輸法無源晶體水晶振蕩器自動檢查裝置。
2008年6月
韓國將在國內銷售kec和kec制的半導體。
為了擴充石英晶振水晶設備的銷售機型,
該公司將與韓國sunny electronics公司、山梨的無線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質量,還導入了網絡分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國transkelectronics。締結進貨銷售合同。
2000年7月
臺灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動”自動檢測裝置富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
2005年8月
傳輸法無源晶體水晶振蕩器自動檢查裝置。
2008年6月
韓國將在國內銷售kec和kec制的半導體。

| 石英晶振參數 | 單位 | HC49US 11.5*4.65mm晶振 | 
| 標準頻率范圍 | f_nom | 3.579M-85MHZ | 
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ~+85°C | 
| 工作溫度 | T_use | -20°C ~+70°C | 
| 激勵功率 | DL | 100μW | 
| 精度 | f_— l | ±30 ppm | 
| 拐點溫度 | Ti | +25°C ±5°C | 
| 負載電容 | CL | 12-20pF | 
| 串聯電阻(ESR) | R1 | 80kΩ Max | 

	
	
	激勵功率
在石英晶體單元上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
進口晶振除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。晶振廠家試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
在石英晶體單元上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
進口晶振除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。晶振廠家試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
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			      石英插件晶振曲率半徑加工技術:石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算)。
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。49S晶振系列使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
	石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。49S晶振系列使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。

	
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