規格型號：15858123
頻率：3.579M-85MHZ
尺寸：11.5*4.65mm
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產(chǎn)品描述：插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車(chē)電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境...

富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器,引線(xiàn)型壓電石英晶體采用全新自動(dòng)生產(chǎn)設備，嚴格的對每顆晶體各項參數指標檢測把關(guān)，比如電阻的測量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測儀器，準確度達到±1ppm（國標標準）。在測量應用上制定一套標準的測量方法保證測量的準確性、儀器的精度、測試的一致性。如下方面都會(huì )對測量結果帶來(lái)影響引腳焊接型石英晶體元件.工廠(chǎng)倉庫長(cháng)時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.。

1994年3月
為了擴充石英晶振水晶設備的銷(xiāo)售機型，
該公司將與韓國sunny electronics公司、山梨的無(wú)線(xiàn)電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質(zhì)量，還導入了網(wǎng)絡(luò )分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國transkelectronics。締結進(jìn)貨銷(xiāo)售合同。
2000年7月
臺灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷(xiāo)售合同。
2001年1月
“水晶震動(dòng)”自動(dòng)檢測裝置富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
2005年8月
傳輸法無(wú)源晶體水晶振蕩器自動(dòng)檢查裝置。
2008年6月
韓國將在國內銷(xiāo)售kec和kec制的半導體。

石英晶振參數	單位	HC49US 11.5*4.65mm晶振
標準頻率范圍	f_nom	3.579M-85MHZ
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C
工作溫度	T_use	-20°C ~+70°C
激勵功率	DL	100μW
精度	f_— l	±30 ppm
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	12-20pF
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	80kΩ Max

激勵功率
在石英晶體單元上施加過(guò)多驅動(dòng)力，會(huì )導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
進(jìn)口晶振除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì )增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節內容）富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。晶振廠(chǎng)家試圖通過(guò)強力調整，可能只會(huì )導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動(dòng)電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。

石英插件晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應用到的加工技術(shù)，主要是研究滿(mǎn)足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩定性石英壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。49S晶振系列使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著(zhù)力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。

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