規格型號：17662230
頻率：3.579 ～ 85.0MHz
尺寸：13.5*4.8mm
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產(chǎn)品描述：我公司的49/SMD貼片晶振在生產(chǎn)晶片時(shí)，就采用了晶片在球筒倒邊加工時(shí)應用到的加工技術(shù)，主要是研究滿(mǎn)足不同曲率半徑晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦...

富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振，高精度的石英晶體諧振器，是需要在生產(chǎn)前期的各道工序就得采用嚴格的標準，比如電阻的測量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測儀器，準確度達到±1ppm（國標標準）。在測量應用上制定一套標準的測量方法保證測量的準確性、儀器的精度、測試的一致性。如下方面都會(huì )對測量結果帶來(lái)影響：1、測試針本身連接的可靠性；2、測試針同測試管的連接性；3、測試板同測試針的接觸問(wèn)題；4、測試座同電纜的連接；5、小負載的規格測量的規定；6、測試板π頭上空測其C0值(保留3位以上小數)；7、測量環(huán)境、操作方法等管制。

普通石英晶振,外觀(guān)完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗.產(chǎn)品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀(guān)采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動(dòng)貼片機告訴安裝,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

10月
參展東京晶振商務(wù)峰會(huì )。
開(kāi)始銷(xiāo)售led燈。
12月
開(kāi)始銷(xiāo)售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導體開(kāi)始銷(xiāo)售富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振。
2013年1月
軟件委托開(kāi)發(fā)開(kāi)始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)始銷(xiāo)售。
2014年7月
SMD晶振小規模事業(yè)者可持續發(fā)展補助金。
2015年5月
㈱ぱるぱる產(chǎn)電動(dòng)卡丁車(chē)“パルパル”開(kāi)始銷(xiāo)售。
富士com有限公司于2013年創(chuàng )立20期，創(chuàng )立20周年

石英晶振參數	單位	HCM49S 13.5*4.8mm晶振
標準頻率范圍	f_nom	3.579M-85MHZ
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C
工作溫度	T_use	-20°C ~+70°C
激勵功率	DL	100μW
精度	f_— l	±30 ppm
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	12-20pF
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	80kΩ Max

噪音
石英晶振在電源或輸入端上施加執行級別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音，可能導致會(huì )引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門(mén)或雜散現象。
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低。
輸出負載
貼片晶振建議將輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振
未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應，從而導致非正常工作。同時(shí)，無(wú)源晶體當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí)，電源功率消耗也會(huì )增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：車(chē)載電子領(lǐng)域晶振是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著(zhù)力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振。

石英晶振真空退火技術(shù)：2腳焊腳49S晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn)，使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對晶體組件進(jìn)行退火，49S型貼片晶振石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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