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- 規格型號：16935377
- 頻率：1.8MHZ~160MHZ
- 尺寸：7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述：臺灣加高晶振產(chǎn)品技術(shù)方面,除了不斷提升既有產(chǎn)品規格的精密度及穩定性之外,我們更專(zhuān)注開(kāi)發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品、特殊應用領(lǐng)域之規格,并朝小型化開(kāi)發(fā)設計,以滿(mǎn)足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢.
石英晶體振蕩器,有源晶振HSO751S,加高7050貼片晶振
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臺灣加高有源晶振,HSO531S晶體,石英晶體振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
| 加高晶振參數 | 石英晶體HSO751 | |||
| 標準頻率范圍 | 1.8MHZ~160MHZ | |||
| 儲存溫度 | -55°C ~+125°C | |||
| 工作溫度 | -10°C~ +70°C | |||
| 電源電壓 | +2.5V(±10%) | +2.85V(±10%) | +3.3V(±10%) | +5V(±10%) |
| 精度 | ±20 ppm | |||
| 拐點(diǎn)溫度 | +25°C ±5°C | |||
| 負載電容 | Series,15pF,30pF,50pF or Specify | |||
| 串聯(lián)電阻（ESR） | 70Ω Max | |||
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晶體具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等.當基頻模式應用時(shí),晶體的電阻是最低的,這意味著(zhù)它是最簡(jiǎn)單的晶體振蕩.當第三色調模式被應用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調模式.因此,如果頻率是只有三分之一的目標頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設定值就足夠了,因為電路的環(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調模式.該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設定值是不足夠的.
基頻模式與三次泛音模式應用程序如下：
基頻模式B應用.三次泛音模式的應用程序
基頻模式B應用.三次泛音模式的應用程序
下表顯示升的匹配值,C由各種頻率三次泛音模式
頻率輸出是目標頻率的三倍
這個(gè)問(wèn)題的可能性相對較小.請確定的三次泛音調模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大.當放大電路內置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì )發(fā)生.為了解決這個(gè)問(wèn)題,請采用三次泛音模式晶體.
1.此外,放大電路,第三色調模式設計不當也可能導致電路由第五音模式振蕩或不振蕩.系統故障是由于超大輸出波形的幅度.
2.也可以提高終端的電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善.
3.請確定使用頻譜分析儀機中斷信號的頻率.我們可以發(fā)現存在的問(wèn)題是根據頻率什么.
4.如果是從電源的交流信號,請檢查電源和信號的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的.請改為浮動(dòng),如果它不是.
5.如果信號具有高頻率,請使用以下方法：使用晶體外殼為接地.采用水晶較小C0.增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負載電容CL.
6.請檢查周?chē)娐泛蚉CB布局,如果上面的方法都沒(méi)有能夠解決您的問(wèn)題.如果兩者都正常,那么請你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設計的不明信號的反應.改變周?chē)娐返脑O計只能緩解問(wèn)題,而不是完全解決它.通常.這將是最好找出來(lái)的芯片組設計問(wèn)題并解決它.
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