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首頁(yè)進(jìn)口晶振KC2016B-C1振蕩器,普通有源晶振,日本京瓷株式會(huì )社

    KC2016B-C1振蕩器,普通有源晶振,日本京瓷株式會(huì )社

  • 規格型號:43300810
  • 頻率:1.5~50.0MHZ
  • 尺寸:2.0*1.6mm
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  • 產(chǎn)品描述:KC2016B-C1振蕩器,石英晶體有源晶振,日本京瓷株式會(huì )社,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封...

       KC2016B-C1振蕩器,普通有源晶振,日本京瓷株式會(huì )社,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

項目 符號 規格KC2016B-C1
頻率范圍 f_nom 1.500~50.0MHZ
電源電壓 Vcc 1.6~3.63V
負載電容 CL 15PF
頻率偏差(25±3℃) f_tol ±15×10-6
等效串聯(lián)電阻 R1 200Ωmax.
驅動(dòng)功率 DL 10µW (100µW Max.)
工作溫度 T_use -10~+70℃,-40~+105℃ 
保存溫度 T_stg -55~+125℃
頻率溫度特征 (以25℃為基準) f_tem ±15×10-6




          京瓷集團在全球的事業(yè)涉及原料、零件、設備、機器,以及服務(wù)、網(wǎng)絡(luò )等各個(gè)領(lǐng)域.
      在集團內部,若將相關(guān)的產(chǎn)品和事業(yè)視為一條生產(chǎn)線(xiàn),其開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售以及物流等等,所有程序都被有機地結合起來(lái),并且有效地利用現有經(jīng)營(yíng)資源,通過(guò)發(fā)揮協(xié)同效應,使其構筑得更加牢固.
      所有的生產(chǎn)線(xiàn)都具備順應時(shí)代變化的速度感,通過(guò)融合集團的獨特技術(shù),進(jìn)一步積極創(chuàng )造新產(chǎn)品、開(kāi)拓新市場(chǎng).
      為了回應客戶(hù)的期待,京瓷在價(jià)格、質(zhì)量、服務(wù)等所有方面都滲透“客戶(hù)第一”的理念,不斷為全球市場(chǎng)奉獻新價(jià)值.


      石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場(chǎng)及負電場(chǎng)時(shí), 空間系統為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì )相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應正電場(chǎng)區域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場(chǎng)區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì )相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì )相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì )相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì )形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續給與能量, 石英材料就會(huì )與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應下氧原子的振幅與電場(chǎng)強度及電場(chǎng)對二氧化硅的向量角度有相對應的關(guān)系.在實(shí)際的應用上, 電場(chǎng)是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.


     隨著(zhù)能源耗量的不斷增多,出現了“全球氣候變暖”等問(wèn)題.在產(chǎn)業(yè)活動(dòng)中,“如何有效使用有限能源”已成為全球共同面臨的課題.京瓷集團設定了溫室氣體和能源的削減目標,積極落實(shí)業(yè)務(wù)活動(dòng)中的節能對策等多種防止全球變暖的對策.
開(kāi)展墻面綠化活動(dòng)
     墻面綠化(福島棚倉工廠(chǎng)) 京瓷集團開(kāi)展墻面綠化活動(dòng),利用苦瓜、絲瓜、牽?;ǖ扰缆参锔采w窗戶(hù),遮擋夏季的強烈日照,從而達到有效抑制室內溫度上升的效果.
     2014年度,在日本的31處網(wǎng)點(diǎn)和海外的3處網(wǎng)點(diǎn)開(kāi)展了此項活動(dòng),覆蓋面積達4,314m2(相當于16.5個(gè)網(wǎng)球場(chǎng)的面積),全年取得了15,000kg-CO2的削減效果.2015年度,京瓷計劃在32處網(wǎng)點(diǎn)開(kāi)展該活動(dòng).
     京瓷集團早在1991年就制定了廢棄物削減基本方針,開(kāi)展廢棄物削減活動(dòng),為建立循環(huán)型社會(huì )貢獻力量.
削減廢棄物的基本方針
     1. 不帶入會(huì )成為垃圾源的物品.
     2. 控制業(yè)務(wù)活動(dòng)中產(chǎn)生的廢棄物.
     3. 對已產(chǎn)生的廢棄物進(jìn)行資源再生處理.
     4. 對無(wú)法再次作為資源使用的廢棄物進(jìn)行無(wú)害化處理.

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