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- 規格型號：19986685
- 頻率：1.25 MHz ~100.0 MHz
- 尺寸：25.4x25.4 mm
- 產(chǎn)品描述：貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)...
MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器
MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器，石英晶體振蕩器在設計時(shí)就與各款型號IC匹配等相關(guān)技術(shù)，使用IC與晶片設計匹配技術(shù)：是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設計過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的特殊性，必須考慮振蕩器的供應電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數。
插件式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
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插件式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著(zhù)力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振廠(chǎng)家高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn)，使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器,
| 石英晶振規格 | 單位 | OC11T 25.4*25.4mm 晶振說(shuō)明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 1.25 MHz ~100.0 MHz | 標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標準溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說(shuō)明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規格請聯(lián)系我們. |
| 負載電容 | CL | 15pF | 超出標準說(shuō)明,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
粘合劑
請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制石英晶振）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SMD晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì )損壞恒溫晶振產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制石英晶振）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SMD晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì )損壞恒溫晶振產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
MERCURY晶振集團認識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,恒溫晶振同時(shí)也認識到針對全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的。
過(guò)去MERCURY晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強責任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jì)效的持續改進(jìn)。
MERCURY晶振集團將：插件晶振不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預防。為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架。通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現對自然資源的保持。
MERCURY晶振集團將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設施滿(mǎn)足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構的相關(guān)法規規定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng)。 在地方對各項設施的管理責任中,高穩定性恒溫振蕩器確保滿(mǎn)足方針的目標指標,同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現行所有標準規范的要求MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器。
過(guò)去MERCURY晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強責任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jì)效的持續改進(jìn)。
MERCURY晶振集團將：插件晶振不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預防。為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架。通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現對自然資源的保持。
MERCURY晶振集團將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設施滿(mǎn)足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構的相關(guān)法規規定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng)。 在地方對各項設施的管理責任中,高穩定性恒溫振蕩器確保滿(mǎn)足方針的目標指標,同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現行所有標準規范的要求MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器。
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