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帝國博客
更多>>- 規格型號:57187291
- 頻率:3.0~54.0MHZ
- 尺寸:2.1*1.7mm
- 產(chǎn)品描述:SG-150SEE有源晶振,EPSON貼片晶振,SPXO振蕩器,使用IC與晶片設計匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設計過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的...
SG-150SEE有源晶振,EPSON貼片晶振,SPXO振蕩器


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SG-150SEE有源晶振,EPSON貼片晶振,SPXO振蕩器,使用IC與晶片設計匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設計過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數.

晶振參數 | 符號 | SG-150SEE |
標準頻率 | fo | 3.000 MHZ to 54.000 MHZ |
電源電壓 | Vcc | 5.0 V ± 0.5V |
存儲溫度 | T_stg | -40℃ ~ + 85℃ |
工作溫度 | T_use | -40℃ ~ + 85℃ |
頻率穩定度 | F_tol | ±20.0×10-6 Max |
電流消耗 | ICC | 6 mA MAX |
輸出禁用電流 | I_dis | 12 mA MAX |
待機電流 | I_std | 5.0 uA MAX |
對稱(chēng)性 | SYM | 45% to 55% |
輸出負載 | L_CMOS | 15 pF Max |
輸出電壓 | VOH | 90% Vcc Min |
VOL | 10% Vcc Max | |
上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 4.5 ns Max |
啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 5 ms Max |
頻率老化 | F_aging | ±5 ×10-6 /years Max |



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經(jīng)由不同的石英切割角度及不同電極型狀的電場(chǎng)效應, 石英芯片展現了各種不同的振動(dòng)模態(tài). 以經(jīng)常產(chǎn)生的振動(dòng)模態(tài)可以概分為擾曲模態(tài)(flexure mode), 伸縮模態(tài)(extension mode), 面剪切模態(tài)(face shear mode) 和 厚度剪切模態(tài)(thickness shear mode). 這幾種振動(dòng)模態(tài)以簡(jiǎn)單的方法在表一中可以看到. 在實(shí)際狀況中, 石英芯片并不是一定祇有單一種振動(dòng)模態(tài), 而可能有多種模態(tài)同時(shí)存在在一個(gè)石英芯片的振蕩中, 經(jīng)由適當的設計, 可以壓制其它不希望產(chǎn)生的振動(dòng)模態(tài)(unwanted mode), 來(lái)達到主要振動(dòng)模態(tài)的最佳化.



創(chuàng )造并提供專(zhuān)研了“省、小、精”的水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構筑和革新既可以降低 環(huán)境負荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng).
不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基 準,通過(guò)持續性的展開(kāi)環(huán)?;顒?dòng)來(lái)預防污染.
在設定環(huán)保目的與目標展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?;顒?dòng)的水平.
通過(guò)與地區的交流及社會(huì )貢獻活動(dòng),為地區的環(huán)保做貢獻.
將環(huán)?;顒?dòng)的信息向公司內外公開(kāi),積極努力的與地區社會(huì )及相關(guān)人員建立信賴(lài)關(guān)系,為社會(huì )的發(fā)展做出貢獻.
通過(guò)此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達的同時(shí), 也向公司外部公開(kāi).


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