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- 規格型號：66494253
- 頻率：1.2~75MHZ
- 尺寸：2.0x1.6x0.7
- 產(chǎn)品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15μA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對...
EPSON晶振,有源晶體振蕩器,SG2016CAN晶振,高質(zhì)量晶振
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日本精工愛(ài)普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì )社與愛(ài)普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).愛(ài)普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶(hù)創(chuàng )造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng )新.這意味著(zhù)從頭開(kāi)始創(chuàng )建產(chǎn)品:創(chuàng )建我們自己的獨特的核心技術(shù)和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專(zhuān)業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶(hù).智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機,無(wú)線(xiàn)通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把SMD晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱(chēng)為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.
| 晶振參數 | 符號 | SG2016CAN |
| 標準頻率 | fo | 1.2~75MHZ |
| 電源電壓 | Vcc | +1.6V~+3.63V |
| 存儲溫度 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 工作溫度 | T_use |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ |
| 頻率初期公差 | F_tol | ±20,±50,±100×10-6 Max |
| 待機電流 | I_std | 2.7 uA MAX |
| 輸出負載 | L_CMOS | 15pF Max |
| 輸出電壓 | VOH | Vcc-0.8V Min |
| VOL | 0.2V Max | |
| 上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 8 ns Max |
| 啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 10 ms Max |
| 頻率老化 | F_aging | ±1.0×10-6 /years Max |
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電處理
將電源連接到晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內的石英工業(yè)級晶振,假如損壞那將不會(huì )工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規定電壓值,就很可能會(huì )導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì )不起振,或者起不到最佳精度.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源低功耗晶振設置一個(gè)規定的負載阻抗值.當一個(gè)值除了規定的一個(gè)設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì )滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì )導致問(wèn)題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量?jì)x器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量?jì)x器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當耐高溫晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強烈的外置撞擊都將會(huì )導致溫補晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
負載電容
有源高頻晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英環(huán)保晶振輸出負載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時(shí),當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì )增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
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