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首頁(yè)進(jìn)口晶振EPSON晶振,有源晶振,TG1612SAN晶振,溫補晶振

    EPSON晶振,有源晶振,TG1612SAN晶振,溫補晶振

  • 規格型號:75858268
  • 頻率:13~52MHZ
  • 尺寸:1.6x1.2x0.65mm
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  • 產(chǎn)品描述:1612mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話(huà)等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(DC...

     EPSON晶振,有源晶振,TG1612SAN晶振,溫補晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
     愛(ài)普生株式會(huì )社EPSON晶振愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO).1996年2月在中國蘇州投資建廠(chǎng),在當時(shí)員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經(jīng)是世界500強企業(yè).日本精工愛(ài)普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】  愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì )社與愛(ài)普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).
     超小型石英貼片晶振晶片的設計:石英晶片的長(cháng)寬尺寸已要求在±0.002mm內,由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類(lèi)寄生波(如長(cháng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長(cháng)度或寬度尺寸設計不正確、使得振動(dòng)強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產(chǎn)品在客戶(hù)端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果.
晶振參數 符號 TG1612SAN
標準頻率 fo 13~52MHZ
電源電壓 Vcc +1.8V ~+3.3V
存儲溫度 T_stg -40℃ ~ +90℃
工作溫度 T_use -30℃ ~ +85℃
-40℃~+85℃
頻率初期公差 F_tol ±2.0×10-6 Max
待機電流 I_std 2 uA MAX
輸出負載 L_CMOS 10 pF Max
輸出電壓 VOH  Vcc-0.8V Min
VOL 0.4V Max
上升/下降時(shí)間 tr/tf 8 ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 10 ms Max
頻率老化 F_aging ±1.0×10-6 /years Max




電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會(huì )工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規定電壓值,就很可能會(huì )導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì )不起振,或者起不到最佳精度.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個(gè)規定的負載阻抗值.當一個(gè)值除了規定的一個(gè)設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì )滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì )導致問(wèn)題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量?jì)x器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量?jì)x器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強烈的外置撞擊都將會(huì )導致石英晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
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