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更多>>- 規(guī)格型號:86763115
 - 頻率:13.0~52.0MHZ
 - 尺寸:3.2*2.5mm
 - 產品描述:日本有源晶振,TG-5021CE車載晶體振蕩器,"TG-5021CE-38N 39.0000M3"愛普生石英晶振,壓控溫補晶體系列,VC-TCXO產品內部晶片焊接模式采用了,高精密點膠技術:晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖...
 
日本有源晶振,TG-5021CE車載晶體振蕩器,愛普生石英晶振,TG-5021CE-38N 39.0000M3
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日本有源晶振,TG-5021CE車載晶體振蕩器,愛普生石英晶振,"TG-5021CE-38N 39.0000M3",壓控溫補晶體系列,VC-TCXO產品內部晶片焊接模式采用了,高精密點膠技術:晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內.

| 晶振參數(shù) | 符號 | TG-5021CE | 
| 標準頻率 | fo | 13.0MHZ to 52.0MHZ | 
| 電源電壓 | Vcc | 1.8V±0.1V,2.8V±0.14V | 
| 存儲溫度 | T_stg | -40℃~+90℃ | 
| 工作溫度 | T_use | -30℃~+85℃ | 
| 頻率公差 | F_tol | ±2.0×10-6 Max | 
| 電流消耗 | Icc | 60mAMAX | 
| 輸入電阻 | Rin | 100KΩ Min | 
| 對稱性 | SYM | 45% to 55% | 
| 輸出負載 | L_ECL | 50Ω | 
| 輸出電壓 | Vpp | 0.8V Min | 
| 上升/下降時間 | tr/tf | 1.0ns Max | 
| 啟動時間 | T_str | 2.0ms Max | 
| 頻率老化 | F_aging | ±25℃,Vcc=3.3V,20 years | 

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		"TG-5021CE-38N 39.0000M3",負載電容
	
		    如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
	
		其中CS表示電路的雜散電容.
	
		頻率和負載電容特征圖器
	
		                           振蕩回路參數(shù)設置參考

   "TG-5021CE-38N 39.0000M3",愛普生集團通過追求以QMEMS 技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環(huán)保活動,把降低 環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.
		    創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的水晶元器件及其關聯(lián)產品;并且構筑和革新既可以降低 環(huán)境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動.
不僅遵守與環(huán)保相關的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據(jù)需要自主性的制定基 準,通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預防污染.
在設定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平.
通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻.
將環(huán)保活動的信息向公司內外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關人員建立信賴關系,為社會的發(fā)展做出貢獻.
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領域業(yè)務的所有相關人員徹底傳達的同時, 也向公司外部公開.
不僅遵守與環(huán)保相關的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據(jù)需要自主性的制定基 準,通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預防污染.
在設定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平.
通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻.
將環(huán)保活動的信息向公司內外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關人員建立信賴關系,為社會的發(fā)展做出貢獻.
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領域業(yè)務的所有相關人員徹底傳達的同時, 也向公司外部公開.

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