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首頁(yè)進(jìn)口晶振日本有源晶振,TG-5021CE車(chē)載晶體振蕩器,愛(ài)普生石英晶振,TG-5021CE-38N 39.0000M3

    日本有源晶振,TG-5021CE車(chē)載晶體振蕩器,愛(ài)普生石英晶振,TG-5021CE-38N 39.0000M3

  • 規格型號:86763115
  • 頻率:13.0~52.0MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:日本有源晶振,TG-5021CE車(chē)載晶體振蕩器,"TG-5021CE-38N 39.0000M3"愛(ài)普生石英晶振,壓控溫補晶體系列,VC-TCXO產(chǎn)品內部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖...

     日本有源晶振,TG-5021CE車(chē)載晶體振蕩器,愛(ài)普生石英晶振,"TG-5021CE-38N 39.0000M3",壓控溫補晶體系列,VC-TCXO產(chǎn)品內部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內.

晶振參數 符號  TG-5021CE
標準頻率 fo 13.0MHZ to 52.0MHZ
電源電壓 Vcc 1.8V±0.1V,2.8V±0.14V
存儲溫度 T_stg -40℃~+90℃
工作溫度 T_use -30℃~+85℃
頻率公差 F_tol ±2.0×10-6 Max
電流消耗 Icc 60mAMAX
輸入電阻 Rin 100KΩ Min
對稱(chēng)性 SYM 45% to 55%
輸出負載 L_ECL 50Ω
輸出電壓 Vpp 0.8V Min
上升/下降時(shí)間 tr/tf 1.0ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 2.0ms Max
頻率老化 F_aging ±25℃,Vcc=3.3V,20 years




"TG-5021CE-38N 39.0000M3",負載電容
    如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.
頻率和負載電容特征圖器
                           振蕩回路參數設置參考

   "TG-5021CE-38N 39.0000M3",愛(ài)普生集團通過(guò)追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來(lái)推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)?;顒?dòng),把降低 環(huán)境負荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.
    創(chuàng )造并提供專(zhuān)研了“省、小、精”的水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構筑和革新既可以降低 環(huán)境負荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng).
    不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基 準,通過(guò)持續性的展開(kāi)環(huán)?;顒?dòng)來(lái)預防污染.
    在設定環(huán)保目的與目標展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?;顒?dòng)的水平.
    通過(guò)與地區的交流及社會(huì )貢獻活動(dòng),為地區的環(huán)保做貢獻.
    將環(huán)?;顒?dòng)的信息向公司內外公開(kāi),積極努力的與地區社會(huì )及相關(guān)人員建立信賴(lài)關(guān)系,為社會(huì )的發(fā)展做出貢獻.       
    通過(guò)此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達的同時(shí), 也向公司外部公開(kāi).
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