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首頁(yè)進(jìn)口晶振EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,無(wú)鉛晶振

    EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,無(wú)鉛晶振

  • 規格型號:3749927
  • 頻率:10~40MHZ
  • 尺寸:5.0x3.2x1.45mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝...

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     普通石英晶振,外觀(guān)完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗.產(chǎn)品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀(guān)采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動(dòng)貼片機告訴安裝,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
     石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使SMD晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
晶振參數 符號 TG5032CBN
標準頻率 fo 10~40MHZ
電源電壓 Vcc +3.3V
存儲溫度 T_stg -40℃~+90℃
工作溫度 T_use -40℃~+85℃
頻率初期公差 F_tol ±1.0×10-6 Max
待機電流 I_std 2 uA MAX
輸出負載 L_CMOS 15pF Max
輸出電壓 VOH  Vcc-0.8V Min
VOL 0.4V Max
上升/下降時(shí)間 tr/tf 8 ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 10 ms Max
頻率老化 F_aging ±1.0×10-6 /years Max



機械振動(dòng)的影響
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì )受到影響.這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管小體積晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(cháng)時(shí)間保存低相躁晶振時(shí),會(huì )影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(cháng)期儲藏. 
正常溫度和濕度: 
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容). 
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會(huì )導致卷帶受到損壞.
抗沖擊 
抗沖擊是指壓控溫補晶振產(chǎn)品可能會(huì )在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請勿使用.因為無(wú)論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì )給晶振照成不良影響. 
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì )導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽(yáng)光長(cháng)時(shí)間的照射. 
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用普通有源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
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