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- 規格型號：78944249
- 頻率：10~40MHZ
- 尺寸：5.0x3.2x1.45mm
- 產(chǎn)品描述：智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機,無(wú)線(xiàn)通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準時(shí)鐘...
EPSON晶振,壓控溫補振蕩器,TG5032CFN晶振,手機晶振
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愛(ài)普生株式會(huì )社EPSON晶振愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）.1996年2月在中國蘇州投資建廠(chǎng),在當時(shí)員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經(jīng)是世界500強企業(yè).日本精工愛(ài)普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì )社與愛(ài)普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使手機晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
| 晶振參數 | 符號 | TG5032CFN |
| 標準頻率 | fo | 10~40MHZ |
| 電源電壓 | Vcc | +3.3V |
| 存儲溫度 | T_stg | -40℃~+90℃ |
| 工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ |
| 頻率初期公差 | F_tol | ±1.0×10-6 Max |
| 待機電流 | I_std | 2 uA MAX |
| 輸出負載 | L_CMOS | 15pF Max |
| 輸出電壓 | VOH | Vcc-0.8V Min |
| VOL | 0.4V Max | |
| 上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 8 ns Max |
| 啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 10 ms Max |
| 頻率老化 | F_aging | ±1.0×10-6 /years Max |
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電處理
將電源連接到有源環(huán)保晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會(huì )工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會(huì )導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì )不起振,或者起不到最佳精度.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個(gè)規定的負載阻抗值.當一個(gè)值除了規定的一個(gè)設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì )滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì )導致問(wèn)題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量?jì)x器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量?jì)x器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強烈的外置撞擊都將會(huì )導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）.
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時(shí),當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì )增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
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