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首頁(yè)進(jìn)口晶振EPSON晶振,高性能TCXO晶振,TG5032CGN晶振,耐高溫晶振

    EPSON晶振,高性能TCXO晶振,TG5032CGN晶振,耐高溫晶振

  • 規格型號:65500774
  • 頻率:10~40MHZ
  • 尺寸:5.0x3.2x1.45mm
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  • 產(chǎn)品描述:5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅動(dòng)2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動(dòng)高速貼片機自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對應),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕...
      愛(ài)普生株式會(huì )社EPSON晶振愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO).1996年2月在中國蘇州投資建廠(chǎng),在當時(shí)員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經(jīng)是世界500強企業(yè).日本精工愛(ài)普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】  愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì )社與愛(ài)普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).
     小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
     貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實(shí)際操作中機器運動(dòng)方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(cháng)短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會(huì )使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩定.
晶振參數 符號 TG5032CGN
標準頻率 fo 10~40MHZ
電源電壓 Vcc +3.3V
存儲溫度 T_stg -40℃~+90℃
工作溫度 T_use -40℃~+85℃
頻率初期公差 F_tol ±1.0×10-6 Max
待機電流 I_std 2 uA MAX
輸出負載 L_CMOS 15pF Max
輸出電壓 VOH  Vcc-0.8V Min
VOL 0.4V Max
上升/下降時(shí)間 tr/tf 8 ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 10 ms Max
頻率老化 F_aging ±1.0×10-6 /years Max



輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時(shí),當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì )增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
電處理
將電源連接到有源環(huán)保晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會(huì )工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規定電壓值,就很可能會(huì )導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì )不起振,或者起不到最佳精度.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源低功耗晶振設置一個(gè)規定的負載阻抗值.當一個(gè)值除了規定的一個(gè)設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì )滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì )導致問(wèn)題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量?jì)x器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量?jì)x器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強烈的外置撞擊都將會(huì )導致溫補晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
負載電容
有源高頻晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低.
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