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更多>>- 規格型號:81702294
- 頻率:10~40MHZ
- 尺寸:5.0x3.2x1.45mm
- 產(chǎn)品描述:EPSON晶振,有源振蕩器,TG5032SAN晶振,高性能晶振,具有最適合于移動(dòng)通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC+1.8V±0.1Vto+3.2V±0.1V)高度:最高1.0mm,體積:0.007cm3,重量:0.024g,超小型...
EPSON晶振,有源振蕩器,TG5032SAN晶振,高性能晶振


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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn),使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

晶振參數 | 符號 | TG5032SAN |
標準頻率 | fo | 10~40MHZ |
電源電壓 | Vcc | +3.3V |
存儲溫度 | T_stg | -40℃~+90℃ |
工作溫度 | T_use | 0℃~+70℃ |
頻率初期公差 | F_tol | ±2.0×10-6 Max |
待機電流 | I_std | 2 uA MAX |
輸出負載 | L_CMOS | 10pF Max |
輸出電壓 | VOH | Vcc-0.8V Min |
VOL | 0.4V Max | |
上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 8 ns Max |
啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 10 ms Max |
頻率老化 | F_aging | ±1.0×10-6 /years Max |



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抗沖擊
抗沖擊是指壓控溫補晶振產(chǎn)品可能會(huì )在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請勿使用.因為無(wú)論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì )給晶振照成不良影響.
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì )導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽(yáng)光長(cháng)時(shí)間的照射.
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
機械振動(dòng)的影響
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì )受到影響.這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(cháng)時(shí)間保存低相躁晶振時(shí),會(huì )影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(cháng)期儲藏.
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容).
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會(huì )導致卷帶受到損壞.


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