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首頁(yè)進(jìn)口晶振EPSON晶振,有源貼片晶振,TG5032SGN晶振,基站晶振

    EPSON晶振,有源貼片晶振,TG5032SGN晶振,基站晶振

  • 規格型號:14448805
  • 頻率:10~40MHZ
  • 尺寸:5.0x3.2x1.45mm
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  • 產(chǎn)品描述:普通石英晶振,外觀(guān)完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗.產(chǎn)品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀(guān)采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶...
      愛(ài)普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶(hù)創(chuàng )造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng )新.這意味著(zhù)從頭開(kāi)始創(chuàng )建產(chǎn)品:創(chuàng )建我們自己的獨特的核心技術(shù)和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專(zhuān)業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶(hù).愛(ài)普生加強人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷(xiāo)售和支持和環(huán)境問(wèn)題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術(shù)來(lái)創(chuàng )建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶(hù)和社會(huì ).
     有源SMD晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
     石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著(zhù)力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
晶振參數 符號 TG5032SGN
標準頻率 fo 10~40MHZ
電源電壓 Vcc +3.3V
存儲溫度 T_stg -40℃~+90℃
工作溫度 T_use -40℃~+85℃
頻率初期公差 F_tol ±1.0×10-6 Max
待機電流 I_std 2 uA MAX
輸出負載 L_CMOS 10pF Max
輸出電壓 VOH  Vcc-0.8V Min
VOL 0.4V Max
上升/下降時(shí)間 tr/tf 8 ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 10 ms Max
頻率老化 F_aging ±1.0×10-6 /years Max



有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源低功耗晶振設置一個(gè)規定的負載阻抗值.當一個(gè)值除了規定的一個(gè)設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì )滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì )導致問(wèn)題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量?jì)x器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量?jì)x器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源低功耗晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強烈的外置撞擊都將會(huì )導致溫補晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
負載電容
有源高頻晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì )引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時(shí),當P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì )增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
電處理
將電源連接到晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內的石英工業(yè)級晶振,假如損壞那將不會(huì )工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規定電壓值,就很可能會(huì )導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì )不起振,或者起不到最佳精度.
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