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更多>>瑞薩電子發(fā)布全新遙遙領(lǐng)先同行的有源晶振
來(lái)源:http://www.luck-168.com.cn 作者:帝國科技 2023年09月23
瑞薩電子發(fā)布全新遙遙領(lǐng)先同行的有源晶振,Renesas今天推出了兩個(gè)新的晶體振蕩器系列,擴大了其全面的定時(shí)產(chǎn)品組合。Renesas XU和XL系列以行業(yè)領(lǐng)先的價(jià)格提供無(wú)與倫比的功能和靈活性。性能比。高性能,低相位抖動(dòng)晶體振蕩器可定制頻率為16 kHz至1.5 GHz,相位抖動(dòng)RMS為300 fs,可用于HCMOS, LVPECL, LVDS和HCSL輸出。
為了縮短上市時(shí)間,Renesas提供其定制頻率石英晶體振蕩器的快速交付。習慣于從其他供應商那里等待長(cháng)達數月的工程師可以在兩周或更短的時(shí)間內收到新的Renesas晶體振蕩器。
Renesas瑞薩晶振時(shí)序和射頻部門(mén)副總裁兼總經(jīng)理Dave Shepard表示:XU和XL晶體振蕩器是Renesas對串行IO技術(shù)中更高數據吞吐量所導致的日益嚴格的抖動(dòng)要求的響應。我們的新型振蕩器為設計人員提供了可靠且經(jīng)濟的解決方案,以應對日益增長(cháng)的頻率控制挑戰。
新定時(shí)器件的典型抖動(dòng)值為300 fs RMS,最大值為400 fs,集成在12 kHz至20 MHz范圍內。它們是網(wǎng)絡(luò )、通信、數據I/O、存儲和服務(wù)器等應用的理想選擇。
XU和XL系列提供不同的吞吐速度,以滿(mǎn)足個(gè)人設計的要求。XU系列提供LVPECL, LVDS, HCSL和HCMOS版本,工作電壓為3.3 V, 2.5 V或1.8 V。這些器件的頻率穩定性低至+/- 20ppm,溫度范圍寬至- 40至85,行業(yè)標準封裝- 7 x 5 mm, 5 x 3.2 mm。
XL系列提供LVPECL, LVDS和HCMOS版本,工作電壓為3.3 V或2.5 V。XL系列提供頻率穩定性低至+/- 20 ppm,溫度范圍寬至-40℃至85℃,行業(yè)標準封裝- 7 x 5 mm, 5 x 3.2 mm和3.2 x 2.5 mm。

瑞薩電子發(fā)布全新遙遙領(lǐng)先同行的有源晶振,瑞薩晶振公司作為一家提供采用了先進(jìn)技術(shù)的優(yōu)質(zhì)石英晶體振蕩器產(chǎn)品和為用戶(hù)提供誠摯服務(wù),為全世界人民創(chuàng )造美好未來(lái)的企業(yè),將為推動(dòng)社會(huì )的可持續發(fā)展做出貢獻。
為此,我們在遵守法律法規和道德規范的同時(shí),按照以下行動(dòng)規范誠實(shí)行動(dòng),力求與所有的利益相關(guān)者共享繁榮。
用戶(hù)至上 我們將提供優(yōu)化的高質(zhì)量解決方案來(lái)迅速回應用戶(hù)需求,最大限度提升用戶(hù)滿(mǎn)意度,從而贏(yíng)得客戶(hù)的信賴(lài)。
妥善經(jīng)營(yíng) 我們將公平、公正和誠信地推進(jìn)具有高透明度的企業(yè)活動(dòng),并且努力向所有的利益相關(guān)者積極公開(kāi)事業(yè)活動(dòng)的內容。此外,我們還將通過(guò)開(kāi)展可持續發(fā)展的事業(yè)活動(dòng)以實(shí)現企業(yè)價(jià)值的最大化。
健康的工作環(huán)境 我們將尊重員工的個(gè)性,并將努力創(chuàng )造一個(gè)安全、自由而有活力的工作環(huán)境,讓每個(gè)人的才干和能力都能得到最大限度的發(fā)揮。
全球企業(yè) 我們將尊重不同國家和地區的歷史、文化、風(fēng)俗與人權,反對強迫勞動(dòng)和雇傭童工。作為國際社會(huì )的一員,為世界各國各地區的發(fā)展做出貢獻。環(huán)境和諧 我們將促進(jìn)考慮了環(huán)境因素的石英晶體產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,同時(shí)努力將開(kāi)發(fā)到廢棄的產(chǎn)品壽命周期中的環(huán)境影響減少到最低水平。我們還將通過(guò)自身的事業(yè)活動(dòng),努力協(xié)調人與環(huán)境的關(guān)系,以應對氣候變化和生物多樣性等全球問(wèn)題。技術(shù)支持
為了縮短上市時(shí)間,Renesas提供其定制頻率石英晶體振蕩器的快速交付。習慣于從其他供應商那里等待長(cháng)達數月的工程師可以在兩周或更短的時(shí)間內收到新的Renesas晶體振蕩器。
Renesas瑞薩晶振時(shí)序和射頻部門(mén)副總裁兼總經(jīng)理Dave Shepard表示:XU和XL晶體振蕩器是Renesas對串行IO技術(shù)中更高數據吞吐量所導致的日益嚴格的抖動(dòng)要求的響應。我們的新型振蕩器為設計人員提供了可靠且經(jīng)濟的解決方案,以應對日益增長(cháng)的頻率控制挑戰。
新定時(shí)器件的典型抖動(dòng)值為300 fs RMS,最大值為400 fs,集成在12 kHz至20 MHz范圍內。它們是網(wǎng)絡(luò )、通信、數據I/O、存儲和服務(wù)器等應用的理想選擇。
XU和XL系列提供不同的吞吐速度,以滿(mǎn)足個(gè)人設計的要求。XU系列提供LVPECL, LVDS, HCSL和HCMOS版本,工作電壓為3.3 V, 2.5 V或1.8 V。這些器件的頻率穩定性低至+/- 20ppm,溫度范圍寬至- 40至85,行業(yè)標準封裝- 7 x 5 mm, 5 x 3.2 mm。
XL系列提供LVPECL, LVDS和HCMOS版本,工作電壓為3.3 V或2.5 V。XL系列提供頻率穩定性低至+/- 20 ppm,溫度范圍寬至-40℃至85℃,行業(yè)標準封裝- 7 x 5 mm, 5 x 3.2 mm和3.2 x 2.5 mm。

瑞薩電子發(fā)布全新遙遙領(lǐng)先同行的有源晶振,瑞薩晶振公司作為一家提供采用了先進(jìn)技術(shù)的優(yōu)質(zhì)石英晶體振蕩器產(chǎn)品和為用戶(hù)提供誠摯服務(wù),為全世界人民創(chuàng )造美好未來(lái)的企業(yè),將為推動(dòng)社會(huì )的可持續發(fā)展做出貢獻。
為此,我們在遵守法律法規和道德規范的同時(shí),按照以下行動(dòng)規范誠實(shí)行動(dòng),力求與所有的利益相關(guān)者共享繁榮。
用戶(hù)至上 我們將提供優(yōu)化的高質(zhì)量解決方案來(lái)迅速回應用戶(hù)需求,最大限度提升用戶(hù)滿(mǎn)意度,從而贏(yíng)得客戶(hù)的信賴(lài)。
妥善經(jīng)營(yíng) 我們將公平、公正和誠信地推進(jìn)具有高透明度的企業(yè)活動(dòng),并且努力向所有的利益相關(guān)者積極公開(kāi)事業(yè)活動(dòng)的內容。此外,我們還將通過(guò)開(kāi)展可持續發(fā)展的事業(yè)活動(dòng)以實(shí)現企業(yè)價(jià)值的最大化。
健康的工作環(huán)境 我們將尊重員工的個(gè)性,并將努力創(chuàng )造一個(gè)安全、自由而有活力的工作環(huán)境,讓每個(gè)人的才干和能力都能得到最大限度的發(fā)揮。
全球企業(yè) 我們將尊重不同國家和地區的歷史、文化、風(fēng)俗與人權,反對強迫勞動(dòng)和雇傭童工。作為國際社會(huì )的一員,為世界各國各地區的發(fā)展做出貢獻。環(huán)境和諧 我們將促進(jìn)考慮了環(huán)境因素的石英晶體產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,同時(shí)努力將開(kāi)發(fā)到廢棄的產(chǎn)品壽命周期中的環(huán)境影響減少到最低水平。我們還將通過(guò)自身的事業(yè)活動(dòng),努力協(xié)調人與環(huán)境的關(guān)系,以應對氣候變化和生物多樣性等全球問(wèn)題。技術(shù)支持
原廠(chǎng)編碼 | 生產(chǎn)商品牌 | 型號 | 頻率 | 輸出 | 電源電壓 | 頻率容差 |
XUL535100.000000I | Renesas晶振 | XU | 100 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
XUL516100.000000I | Renesas晶振 | XU | 100 MHz | LVDS | 1.8V | ±25ppm |
XUN535100.000000I | Renesas晶振 | XU | 100 MHz | HCSL | 3.3V | ±50ppm |
XUL536100.000000I | Renesas晶振 | XU | 100 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
XUL536125.000000I | Renesas晶振 | XU | 125 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
XUL736100.000000I | Renesas晶振 | XU | 100 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
XUL536156.250000I | Renesas晶振 | XU | 156.25 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
XUL736150.000000I | Renesas晶振 | XU | 150 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
XUH518027.120000X | Renesas晶振 | XU | 27.12 MHz | HCMOS | 1.8V | ±20ppm |
XUH538024.576000X | Renesas晶振 | XU | 24.576 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH738016.125000X | Renesas晶振 | XU | 16.125 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH738044.736000X | Renesas晶振 | XU | 44.736 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH518033.333333X | Renesas晶振 | XU | 33.333333 MHz | HCMOS | 1.8V | ±20ppm |
XUH738025.000000X | Renesas晶振 | XU | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH738072.000000X | Renesas晶振 | XU | 72 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH738022.579200X | Renesas晶振 | XU | 22.5792 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH538027.000000X | Renesas晶振 | XU | 27 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH538022.579200X | Renesas晶振 | XU | 22.5792 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH728025.000000X | Renesas晶振 | XU | 25 MHz | HCMOS | 2.5V | ±20ppm |
XUH728020.000000X | Renesas晶振 | XU | 20 MHz | HCMOS | 2.5V | ±20ppm |
XUH538013.000000X | Renesas晶振 | XU | 13 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH728016.125000X | Renesas晶振 | XU | 16.125 MHz | HCMOS | 2.5V | ±20ppm |
XUH538067.108864X | Renesas晶振 | XU | 67.108864 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH538125.000000X | Renesas晶振 | XU | 125 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
XUH535004.000000X | Renesas晶振 | XU | 4 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
XUH735033.333000X | Renesas晶振 | XU | 33.333 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
XUH730060.000000X | Renesas晶振 | XU | 60 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±100ppm |
XUH730080.000000I | Renesas晶振 | XU | 80 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±100ppm |
XUH736030.720000X | Renesas晶振 | XU | 30.72 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
XUH515045.125000I | Renesas晶振 | XU | 45.125 MHz | LVCMOS | 1.8V | ±50ppm |
XUH525125.000000I | Renesas晶振 | XU | 125 MHz | LVCMOS | 2.5V | ±50ppm |
XUH715066.600000I | Renesas晶振 | XU | 66.6 MHz | LVCMOS | 1.8V | ±50ppm |
XUH715040.000000X | Renesas晶振 | XU | 40 MHz | LVCMOS | 1.8V | ±50ppm |
XUH736033.000000I | Renesas晶振 | XU | 33 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
XUH716050.000000I | Renesas晶振 | XU | 50 MHz | LVCMOS | 1.8V | ±25ppm |
XUH516033.333300I | Renesas晶振 | XU | 33.3333 MHz | LVCMOS | 1.8V | ±25ppm |
XUH536090.000000I | Renesas晶振 | XU | 90 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
XUX735080.000000X | Renesas晶振 | XU | 80 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
XUH536005.000000I8 | Renesas晶振 | XU | 5 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
XUJ730080.000000X | Renesas晶振 | XU | 80 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±100ppm |
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