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首頁(yè)進(jìn)口晶振亞陶晶振百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,貼片晶振

    百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,貼片晶振

  • 規格型號:66226924
  • 頻率:1MHZ-156.25MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)...

  百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,貼片晶振上述質(zhì)量獎反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術(shù),并進(jìn)一步提升我們在重視質(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳晶振廠(chǎng)商的地位。
  產(chǎn)品聚焦于高成長(cháng)終端用戶(hù)設備市場(chǎng),例如電視/衛星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數據通訊設備、ADSL 調制解調器、電源供應器、醫療裝置 (非維生裝置/系統)、個(gè)人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉換器、無(wú)線(xiàn) 802.11 LAN 存取點(diǎn)、無(wú)刷直流馬達風(fēng)扇、序列連接及汽車(chē)應用。
  Double Data Rate (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存是用于計算機的內存等級。 Diodes 石英晶體振蕩器可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò )設備(包括服務(wù)器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復數據設備)以及醫療裝置與其他嵌入式系統的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。
石英晶振規格 單位  FJ  2520mm晶振說(shuō)明 進(jìn)口振蕩器基本條件
額定頻率范圍 f_nom 1MHZ-156.25MHZ 晶振標準頻率
儲存溫度 T_stg -20°C ~ +70°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標準溫度
電源電壓 SV 1.8V 2.5V 3.3V  
頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
+25°C 對于超出標準的規格說(shuō)明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息.
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標準的規格請聯(lián)系我們.
負載電容 CL 10pF 超出標準說(shuō)明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年



存儲事項
  (1) 百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,貼片晶振在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(cháng)時(shí)間保存SMD晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì )影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(cháng)期儲藏。 
正常溫度和濕度: 
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容)。
   (2) 石英晶振請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會(huì )導致卷帶受到損壞。
9.安裝時(shí)注意事項

  百利通亞陶晶振將持續的環(huán)境、健康和安全方面的改進(jìn)、污染預防和員工的努力納入日常運行當中.加強污染防治,減少現有的污染廢棄物以及在未來(lái)晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO),石英晶振生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染.
  百利通亞陶石英晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實(shí)行可持續發(fā)展戰略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結構.運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強環(huán)境科學(xué)研究百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,貼片晶振,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規,強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.


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