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首頁(yè)進(jìn)口晶振亞陶晶振百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器

    百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器

  • 規格型號:98534615
  • 頻率:1.75M-161MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)...

 百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器 產(chǎn)品聚焦于高成長(cháng)終端用戶(hù)設備市場(chǎng),晶振例如電視/衛星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數據通訊設備、ADSL 調制解調器、電源供應器、醫療裝置 (非維生裝置/系統)、個(gè)人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉換器、無(wú)線(xiàn) 802.11 LAN 存取點(diǎn)、無(wú)刷直流馬達風(fēng)扇、序列連接及汽車(chē)應用。
  Double Data Rate (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存是用于計算機的內存等級。 Diodes 石英晶體振蕩器可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò )設備(包括服務(wù)器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復數據設備)以及醫療裝置與其他嵌入式系統的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。
石英晶振規格 單位 HX251 2520mm晶振說(shuō)明 進(jìn)口振蕩器基本條件
額定頻率范圍 f_nom 1.75M-161MHZ 晶振標準頻率
儲存溫度 T_stg -20°C ~ +70°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標準溫度
電源電壓 SV 2.5V 1.8V 3.3V  
頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
+25°C 對于超出標準的規格說(shuō)明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息.
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標準的規格請聯(lián)系我們.
負載電容 CL 10pF 超出標準說(shuō)明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 


  激勵功率
石英晶體單元上施加過(guò)多驅動(dòng)力,百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器會(huì )導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
  負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì )增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節內容)。
  負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,石英晶振可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。

  百利通亞陶晶振集團保持就健康安全環(huán)境問(wèn)題與臨近攝取進(jìn)行對話(huà).通過(guò)在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護環(huán)境和全球運作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀(guān),在所有的貼片晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器產(chǎn)品和生產(chǎn)過(guò)程中應用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續發(fā)展做出貢獻.
  百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器我們將依據技術(shù)進(jìn)步以及對安全、健康和環(huán)境科學(xué)全新的解釋持續地改進(jìn)我們的業(yè)務(wù).
  我們將追求在資源利用上的零廢物率.壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體原材料將得到循環(huán)和再利用以最大限度地減少對其處理量,同時(shí)節約資源.在廢物的滋生地,廢物將被安全、負責地處理掉.

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