晶振應用說(shuō)明和水晶條款詳細講解
我們對晶振的專(zhuān)業(yè)了解如下分支架,頻率,基本模式,泛音模式,頻率容差,電阻,驅動(dòng)電平,老化,頻率穩定性,分流電容,工作溫度范圍,負載電容等專(zhuān)業(yè)講解,怎么去應用就看情況和變化,我們也要在掌握理論知識的情況下做好一切實(shí)踐準備所有帶來(lái)的不同變化去應變應用.
支架:一個(gè)外殼,內有一塊薄薄的石英晶體或帶有真空蒸發(fā)金屬電極的晶體條和用于連接的端子.
頻率:每秒發(fā)生的輸出波形的周期數.頻率單位是每秒周期數,或赫茲,縮寫(xiě)為Hz.
基本模式:水晶的主要模式.
泛音模式:根據指定的振蕩模式為頻率分配的奇數.標準的第三泛音模式,然后是第五,第七,第九等.超越第九泛音是不切實(shí)際的.頻率不是基頻的三倍,五倍,七倍或九倍.
頻率容差:室溫下允許的標稱(chēng)頻率偏差.頻率容差以百分比表示,典型值±0.005％或百萬(wàn)分之幾(ppm),±50ppm.
等效串聯(lián)電阻:晶體在工作諧振電路中表現出的阻抗值.
驅動(dòng)電平:電路中晶體所經(jīng)歷的功耗量.驅動(dòng)電平以毫瓦或微瓦表示.過(guò)高的驅動(dòng)電平將導致長(cháng)期頻率漂移或晶體斷裂.
老化:一段時(shí)間內的相對頻率變化.這種頻率變化率通常是指數性的.通常,老化是在前30天內計算出來(lái)的,并且是長(cháng)期(一年或十年)計算的.最高老化率發(fā)生在手術(shù)的第一周內,之后緩慢下降.
頻率穩定性:在指定溫度范圍(即0至+70oC)下,與25°C時(shí)的測量頻率相比,允許的最大頻率偏差.
分流電容:分流電容(CO)是晶體端子之間的電容.它隨封裝而變化,通常在SMD(典型值為4pF)時(shí)較小,在含鉛晶體中為6pF.
雜散:通常高于工作模式的不需要的諧振,以dBmax為單位.或ESR的次數.必須指定頻率范圍.例如,在F0±200kHz的頻率窗口中,雜散響應應至少為6dB或2.5×R.
振動(dòng)模式:石英晶體的振動(dòng)模式隨晶體切割而變化,例如用于A(yíng)T切割和BT切割的厚度剪切,或用于音叉晶體(+5oX)切割的彎曲模式,或用于CT,DT切割的面剪切模式.最受歡迎的切割是AT切割,它在很寬的溫度變化范圍內提供對稱(chēng)的頻移.
工作溫度范圍:晶體單元在特定條件下工作的溫度范圍.
負載電容:負載電容(CL)是貼片晶振振蕩器對兩個(gè)晶體端子的總電容量.當晶體以并聯(lián)模式使用時(shí),需要指定負載電容.負載電容計算如下:

Cstray可能從2p??F到6pF不等.
可移動(dòng)性:作為并聯(lián)諧振晶體中的負載電容CL的函數的頻率變化.可拉性是并聯(lián)電容Co運動(dòng)電容C1和進(jìn)口晶振晶體尺寸的函數.
絕緣電阻:晶體引線(xiàn)之間或引線(xiàn)和外殼(金屬外殼)之間的電阻.它使用100V±15V的直流電壓進(jìn)行測試,絕緣電阻在500兆歐的范圍內.
串聯(lián)諧振:串聯(lián)諧振在諧振時(shí)阻抗最小時(shí)發(fā)生.它的串聯(lián)諧振等效電路是一個(gè)電阻器.
品質(zhì)因數:是運動(dòng)電感,共振頻率和ESR的質(zhì)量函數.它通常在十到一百的范圍內.
晶體等效電路

示出了石英晶體振蕩器的等效電路,以解釋控制晶體特性和性能的基本元素.它由運動(dòng)電容C1,電感L1,串聯(lián)電阻R1??和分流電容C0組成.前三個(gè)參數被稱(chēng)為石英晶體元件的“運動(dòng)參數”.
同上和對應圖的不同情況講解,我們要記住這些才能在實(shí)踐中找到不同變化帶來(lái)的應用技術(shù)和技巧,自己或者客戶(hù)的要求可以及時(shí)的處理掉,專(zhuān)業(yè)的基礎知識加上實(shí)踐就更完美的完成我們所有.

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