通常一個(gè)品牌都會(huì )有自己的獨特的設計方案!不光是外觀(guān)還是里面的核心都有著(zhù)自己的創(chuàng )新來(lái)完成產(chǎn)品的完整性!我們也要開(kāi)放的開(kāi)發(fā)產(chǎn)品讓所有的產(chǎn)品都是可以達到性能完美重要性!以下是石英晶體晶振水晶的設計詳解供想了解的閱讀者可以好好的知道產(chǎn)品的每個(gè)環(huán)節的重要性和他的功能體現!
串聯(lián)和并聯(lián)
“串聯(lián)”諧振晶體用于電路中在振蕩器中沒(méi)有反應性成分反饋循環(huán).“平行”共振晶體是有意的用于含有反應元件的電路中(通常是電容)在振蕩器反饋回路.
這樣的電路依賴(lài)于電抗的組組件和晶體完成相移必須啟動(dòng)并保持指定的振蕩頻率.對這兩種電路的基本描述是所示.
圖5

負載電容
這是指晶振晶體外部的電容,包含在振蕩器的反饋回路中電路.如果應用程序需要“并行”諧振晶體,負載電容的值必須指定.
如果應用程序需要一個(gè)“串聯(lián)”諧振晶體,負載電容不是一個(gè)因素,不需要指定.
負載電容是測量電容的量或通過(guò)PCB上的晶體終端計算.
頻率公差
頻率公差是指允許的偏差從標稱(chēng)的百萬(wàn)分之幾(PPM),到具體的溫度,通常+ 25°C.
頻率穩定度
頻率穩定是指允許偏差,為超過(guò)規定溫度的百萬(wàn)分之一的范圍內.偏差與測量頻率有關(guān)在+ 25°C.
老化
老化是指頻率的累積變化隨著(zhù)時(shí)間的推移由水晶單位經(jīng)驗.影響因素老化是驅動(dòng)水平過(guò)高,各種熱效應,電線(xiàn)疲勞和摩擦磨損.電路設計采用低操作環(huán)境和最低限度驅動(dòng)水平會(huì )降低老化率.
Pullability
可拉性是指貼片晶振晶體頻率的變化單位,從固有諧振頻率(Fr)到a負載諧振頻率(FL),或從一個(gè)負諧振到另一個(gè)頻率.
參見(jiàn)圖6.的數量一個(gè)給定的晶體單位在一個(gè)給定的位置所表現出的可拉性負載電容值是分流器的函數的電容(Co)和運動(dòng)電容(C1)晶體單元.
圖6

等效電路
圖7所示的等效電路是一個(gè)電路在a點(diǎn)操作時(shí)石英晶體振蕩器石英晶體單元的描述自然共振頻率.Co或分流器電容,表示晶體的電容電極加上支架和引線(xiàn)的電容.R1、C1和L1構成了晶體的“運動(dòng)臂”稱(chēng)為運動(dòng)參數.的運動(dòng)電感(L1)表示振動(dòng)質(zhì)量晶體單元的.運動(dòng)電容(C1)表示石英的彈性和電阻(R1)表示石英內部發(fā)生的體積損失.
圖7

阻抗/電抗曲線(xiàn)如圖所示,晶體有兩個(gè)零相位的頻率
在圖8所示.
第一個(gè),或者更低的兩個(gè),是級數諧振頻率,記為(fs).此時(shí),電路中出現晶體電阻,阻抗為a最小電流最大.隨著(zhù)頻率增加到級數點(diǎn)以外共振時(shí),晶體在電路中出現感應.當反應的動(dòng)電感和并聯(lián)電容抵消后,晶體處于該頻率抗共振的,記為(fa).在這一點(diǎn)上,阻抗最大,電流最小.
石英晶體
圖8

品質(zhì)因數(Q)晶體單位的“Q”值是單位的度量振蕩的相對質(zhì)量或效率.的晶體單元的最大達穩定性為取決于“Q”值.在上面的圖8中串聯(lián)和并聯(lián)頻率的分離是所謂的帶寬.帶寬越小Q值越高,則其斜率越陡電抗.外部電路電抗的變化組件對高氣壓的影響較小(“可拉性”較小)“Q”晶體,因此這樣的部分更穩定.負載電容計算如果電路配置如圖5所示并聯(lián)版,負載電容可為由下式計算:Cstray包括引腳到引腳的輸入和輸出微處理器芯片在進(jìn)口晶振晶體上的電容和晶體2個(gè)引腳,加上任何寄生電容.作為一個(gè)根據經(jīng)驗,可以假設Cstray等于5.0 pF.因此,如果CL1 = CL2 = 50pF, CL = 30pF.修剪的敏感性修剪靈敏度是增量分數的一種度量頻率變化值的增量變化的負載電容.微調靈敏度(S)表示用PPM/pF表示,計算方法如下方程:
(Ct)

看完水晶的筆記是不是讓我們會(huì )更進(jìn)一步的了解了產(chǎn)品的完整和完美是需要多少重要的環(huán)節去注意的,看完也學(xué)到了不同步驟的參數詳解書(shū)面的知識,讓我們多不同品牌的產(chǎn)品有了一點(diǎn)點(diǎn)的了解.

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