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晶振基本參數定義概述

來(lái)源:http://www.luck-168.com.cn 作者:帝國科技 2018年07月03
全世界的晶振廠(chǎng)家有很多,每個(gè)廠(chǎng)家有至少上百種晶振型號,那么是如何區分這些晶振產(chǎn)品的不同之外呢?除了外形不一樣,最重要是區別晶振的參數,做為一名晶振銷(xiāo)售人員,必須要了解各個(gè)重要的參數,才可以在與客戶(hù)溝通時(shí),避免產(chǎn)生不必要的誤解和浪費時(shí)間,因此不管是什么類(lèi)型晶振參數都是極其重要的.
隨著(zhù)石英晶振的廣泛應用,市場(chǎng)對晶振的需求也隨之增長(cháng)。有些客戶(hù)采購員或技術(shù)員對晶振了解的少之又少,很多時(shí)候雙方不能達成共同意見(jiàn)而導致客戶(hù)和晶振生產(chǎn)廠(chǎng)家造成損失,下面讓我們一起來(lái)了解石英晶振的相關(guān)參數。(pc:僅供相關(guān)人員參考。)
在測量寄生波時(shí)掃描點(diǎn)數不能太少,否則有的寄生波掃描不出來(lái),另外掃描頻率范圍也不要太寬,如果寄生振動(dòng)離主振頻率較遠一般構不成威脅,一定注意在主振頻率負頻方向不要出現寄生波,否則設計上就存在問(wèn)題。
下面的常規格參數基本就確定了石英晶體的電氣性能要求,如果沒(méi)有特殊要求,沒(méi)必要把所有的參數進(jìn)行設定,但一定要指明幾個(gè)主要參數,標稱(chēng)頻率,負載電容、頻率公差、切型、振動(dòng)模式、激勵功率和溫度特性要求。
寄生電阻(SPUR),在指定的頻率范圍內寄生電阻最小的電阻,單位用Ω表示。
寄生dB值(SPDB),在用12.5Ω測試頭測出的最小寄生電阻波峰相對主振波峰之間的差值,單位用dB表示。
1、DLD,在給定的激勵功率范圍內,測出的電阻或頻率的變化值。主要用來(lái)衡量貼片晶振材料和制造工藝的穩定性。常用的幾個(gè)參數指標:DLD2、RLD、FDLD。
FDLD,在給定的激勵功率范圍內,測出的最大串聯(lián)諧振頻率與最小串聯(lián)諧振頻率之間的差值。即:FDLD=MaxFr-MinFr,單位用PPM表示。
DLD2,在給定的激勵功率范圍內,測出的最大諧振電阻與最小諧振電阻之間的差值。即:DLD2=MaxR-MinR,單位用Ω表示。
RLD,在給定的激勵功率范圍內,測出的最大電阻值。即:RLD2=MaxR,單位用Ω表示。
2、負載電容(CL),是用戶(hù)在線(xiàn)路設計時(shí)外加的有效外界電容,單位用PF表示??紤]到線(xiàn)路板的雜散電容和晶體本身形成的電容,在理論計算出的電容值基礎上需加3~5PF。在要求廠(chǎng)家制作石英晶體時(shí)必須確定此參數,否則會(huì )影響正常使用。
3、溫度特性,在指定溫度范圍內頻率或電阻變化達到要求范圍。頻率變化是相對值,是該只晶體隨溫度的變化相對于常溫條件下的變化值,用PPM表示。電阻是絕對值,用Ω表示。
4、頻率公差,指在常溫(25℃±2℃)條件下相對標稱(chēng)頻率允許的晶體頻率散差范圍,單位用PPM表示,客戶(hù)可根據線(xiàn)路設計目標需要進(jìn)行選擇。
5、品質(zhì)因數Q值,Q值反映晶體性能好壞,單位有K表示。等效電阻大時(shí)Q值就低,功率消耗也大,而且還會(huì )導致頻率不穩定,故Q值越大,頻率越穩定。
6、標稱(chēng)頻率(F),標稱(chēng)頻率又叫做標稱(chēng)值。用以標志或識別元件、器件的適當近似值,其實(shí)晶體的實(shí)際頻率值都會(huì )有差別。
7、寄生頻率(SPFR),在指定的頻率范圍內寄生電阻最小的頻率。單位用PPM表示。
8、切型,指晶片相對于SMD晶振結晶軸的取向。如果沒(méi)有特殊標明一般指AT切型,AT切型具有頻率范圍寬,壓電活力高,在寬溫度范圍內頻率濕度特性好,晶片加工方便等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛使用。
9、頻率拉牽(DFL),表示同一只石英晶體諧振器從一個(gè)負載電容調整到另一個(gè)負載電容時(shí)頻率的變化值。單位用PPM表示。
10、諧振電阻(RR),無(wú)源晶振工作在諧振頻率時(shí)的電阻,單位用Ω表示。
11、負載頻率(FL),在給定的負載電容條件下,測出的對應頻率。一般是相對標稱(chēng)頻率而言,單位用PPM表示。同一支產(chǎn)品在不同外接負載電容條件下,工作頻率不同,有時(shí)相差很大,因此外接負載電容不匹配,或電容精度太低,將導致工作頻率超出要求范圍而不能正常工作。
12、靈敏度(TS),表示頻率隨負載電容變化的變化值,單位用PPM/PF表示,負載電容越小,Ts越大,頻率受外界雜散電容影響變化越大。
13、激勵功率(DL),指施加給石英晶體工作時(shí)提供的驅動(dòng)功率,單位用μW表示。功率不宜太小,否則不易起振,但也不能太大,易激起其它雜波甚至產(chǎn)生不可逆頻率變化,一般在10~100μW范圍內差別不大。
14、寄生,在主振頻率一定頻率范圍內振動(dòng)雜波。常用的幾個(gè)衡量指標:SPFR、SPUR、SPDB。
15、振動(dòng)模式,是基頻還是泛音晶體,若是泛音晶體只有奇次泛音,沒(méi)有偶次,如3、5、7等。
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