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更多>>- 規(guī)格型號:51977539
 - 頻率:27MHZ
 - 尺寸:1.6*1.2mm
 - 產(chǎn)品描述:Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體,日蝕晶振,歐美進口晶振,水晶振動子,SMD晶體,無源晶體,音叉晶體,型號EB1216,編碼EB1216JA10-27.000M-TR是一款金屬面貼片型的無源晶振,尺寸為1612mm,頻率27MHZ,精度1...
 
Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體
航欄(10).jpg)
   Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體,日蝕晶振,歐美進口晶振,水晶振動子,SMD晶體,無源晶體,音叉晶體,型號EB1216,編碼EB1216JA10-27.000M-TR是一款金屬面貼片型的無源晶振,尺寸為1612mm,頻率27MHZ,精度15ppm,負載10PF,工作溫度-40~+85°C,產(chǎn)品具備超高的可靠性能和穩(wěn)定性能,常常用于物聯(lián)網(wǎng)計量,工業(yè)醫(yī)療保健,超小型設(shè)備,可穿戴設(shè)備,便攜式設(shè)備等領(lǐng)域.
				EB1216YA10-25.000M TR無源晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體
		
EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體晶振  參數(shù)表| 日蝕晶振規(guī)格 | 單位 | EB1216晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 | 
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 27MHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 | 
| 工作溫度 | T_use | 40°C ~ +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 | 
| 激勵功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW | 
| 頻率公差 | f_— l | ±15 × 10-6 ,0°C ~ +85°C | 
							+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.luck-168.com.cn/  | 
					
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6 | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. | 
| 負載電容 | CL | 10pF ~ ∞ | 超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. | 
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 150 Ohms | -40°C — +85°C, DL = 100μW | 
| 頻率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | 
							+25°C,第一年 | 
					
Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體  尺寸圖
EB1216JA10-27.000M-TR晶振   使用注意事項
		    耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體
	將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體
		   PCB設(shè)計指導(dǎo):
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
	(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
		    存儲事項:
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存金屬面晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。
(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體
	(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存金屬面晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。
(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體
| 制造商零件編號 | 供應(yīng)商 | 系列 | 類型 | 頻率 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 負載電容 | 
| EB2532YA12-26.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 26 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-28.63636M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 28.63636 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB1216JA10-27.120M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶體 | 27.12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 10pF | 
| EB1216JA10-27.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶體 | 27 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 10pF | 
| EB1620YA10-32.000M TR | Ecliptek | EB1620 | MHz 晶體 | 32 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF | 
| EB1620YA10-27.120M TR | Ecliptek | EB1620 | MHz 晶體 | 27.12 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF | 
| EB1216YA10-27.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶體 | 27 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF | 
| EB1216YA10-26.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶體 | 26 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF | 
| EB1216YA10-25.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶體 | 25 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF | 
| EA2025JA18-25.000M TR | Ecliptek | EA2025 | MHz 晶體 | 25 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF | 
| EA3250MA10-14.7456M TR | Ecliptek | EA3250 | MHz 晶體 | 14.7456 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 10pF | 
| EB3250JA12-12.000M TR | Ecliptek | EB3250 | MHz 晶體 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB3250JA12-24.000M TR | Ecliptek | EB3250 | MHz 晶體 | 24 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EA3250FA18-25.000M TR | Ecliptek | EA3250 | MHz 晶體 | 25 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 18pF | 
| E1SFA12-3.6864M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 3.6864 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EA2532LA18-32.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶體 | 32 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF | 
| EA2532QA18-16.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶體 | 16 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 18pF | 
| EA2532LA18-12.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶體 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF | 
| EA2532QA18-12.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶體 | 12 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 18pF | 
| EB2532JA12-25.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 25 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532JA12-32.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 32 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532JA12-20.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 20 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB1620YA10-27.000M TR | Ecliptek晶振 | EB1620 | MHz 晶體 | 27 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF | 
| EB2532JA12-24.576M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 24.576 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532JA12-26.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 26 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532JA12-12.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532JA12-12.288M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 12.288 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532JA12-16.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 16 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-12.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 12 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-30.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 30 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-32.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 32 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-13.560M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 13.56 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-24.576M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 24.576 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB2532YA12-16.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶體 | 16 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF | 
| EB1216JA10-24.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶體 | 24 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 10pF | 
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![艾西迪晶振,1612H-SMX-4晶振,CAZ2457-RF-KOMEF1L-PF[24.576MHz]晶振](/include/upload/goods/20220228/list_20220228105331333.jpg)

    

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