規格型號：15931765
頻率：0.750~1350MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：IDT晶振,XLL晶振,LVDS輸出晶振,IDT是為4G、5G和云計算等無(wú)線(xiàn)基礎設施應用而設計的高性能的領(lǐng)先創(chuàng )新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號鏈產(chǎn)品,串行RapidIO,和先進(jìn)的時(shí)機。IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò )通信應用提供了廣泛的解決方...

IDT晶振,XLL晶振,LVDS輸出晶振,IDT是為4G、5G和云計算等無(wú)線(xiàn)基礎設施應用而設計的高性能的領(lǐng)先創(chuàng )新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號鏈產(chǎn)品,串行RapidIO®,和先進(jìn)的時(shí)機。

IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò )通信應用提供了廣泛的解決方案。IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機解決方案包括網(wǎng)絡(luò )同步產(chǎn)品超越競爭,使客戶(hù)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的系統。
IDTde提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM內存接口解決方案,串行RapidIO®,PCI Express®開(kāi)關(guān)和橋梁,信號完整性的產(chǎn)品,世界級的時(shí)機、高性能計算、高效電源管理解決方案和基于云計算的企業(yè)服務(wù)器應用程序。
IDT晶振在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運營(yíng)其卓越的汽車(chē)中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根據iso26262的標準，支持功能性安全要求。了解更多關(guān)于IDT的汽車(chē)質(zhì)量。
由于微電子器件的功率耗散，熱能的管理很重要，可以從任何電子產(chǎn)品中獲得最好的性能。一種微電子設備的工作溫度決定了產(chǎn)品的速度和可靠性。IDT積極提高產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設備。然而，由于產(chǎn)品性能往往受到其實(shí)現的影響，因此建議仔細考慮影響設備運行溫度的因素，以達到最好的效果。專(zhuān)業(yè)提供差分晶振,有源晶振等晶振產(chǎn)品.IDT晶振,XLL晶振,LVDS輸出晶振.

型號	符號	XLL(5032)
輸出規格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	0.750~1350MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40~+85℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱(chēng)	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-
1電平電壓	V_OH	-
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補償電壓	V_OS	1.125~1.375V
補償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz]

存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(cháng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì )影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(cháng)期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會(huì )導致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì )破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類(lèi)型，C-2-類(lèi)型，C-4-類(lèi)型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線(xiàn)保持平滑。IDT晶振,XLL晶振,LVDS輸出晶振.

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