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更多>>- 規(guī)格型號(hào):59429477
 - 頻率:32.768KHZ
 - 尺寸:8.0*3.8mm
 - 產(chǎn)品描述:ILSI晶振,IL3M晶振,IL3M-HX5F12.5-32.768KHZ晶振,無源貼片晶振, ILSI America成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡單,成為晶體和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商,以支持北美頻率控制市場(chǎng)。 在隨后的29年中...
 
ILSI晶振,IL3M晶振,IL3M-HX5F12.5-32.768KHZ晶振
航欄(10).jpg)

ILSI晶振,IL3M晶振,IL3M-HX5F12.5-32.768KHZ晶振,無源貼片晶振, ILSI America成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡單,成為晶體和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商,以支持北美頻率控制市場(chǎng)。
	在隨后的29年中,隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)增長和全球化,ILSI通過有機(jī)增長和收購應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)和客戶群。
1995年,ILSI北京中國辦事處開業(yè)。1998年,ILSI美國公司搬遷到它現(xiàn)在的位置,這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們?cè)诿绹蛠喼尢峁┱嬲龑?shí)體店的目標(biāo),這些實(shí)體由直接員工提供,以支持我們?cè)诒泵溃鞲纾瑏喼藓蜌W洲快速增長的客戶群。
LISI CRYSTAL又名艾爾西晶振,是美國一家專業(yè)生產(chǎn)制作時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商.ILSI晶振美國公司成立于1987年,總部位于加州科某件塔梅薩.
擁有一流的生產(chǎn)技術(shù),先進(jìn)的高端儀器設(shè)備,致力于研發(fā)生產(chǎn)有源晶振產(chǎn)品以及不斷增長收購企業(yè).ILSI Crystal發(fā)展至今在加拿大.ILSI晶振,IL3M晶振,IL3M-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.
1995年,ILSI北京中國辦事處開業(yè)。1998年,ILSI美國公司搬遷到它現(xiàn)在的位置,這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們?cè)诿绹蛠喼尢峁┱嬲龑?shí)體店的目標(biāo),這些實(shí)體由直接員工提供,以支持我們?cè)诒泵溃鞲纾瑏喼藓蜌W洲快速增長的客戶群。
LISI CRYSTAL又名艾爾西晶振,是美國一家專業(yè)生產(chǎn)制作時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商.ILSI晶振美國公司成立于1987年,總部位于加州科某件塔梅薩.
擁有一流的生產(chǎn)技術(shù),先進(jìn)的高端儀器設(shè)備,致力于研發(fā)生產(chǎn)有源晶振產(chǎn)品以及不斷增長收購企業(yè).ILSI Crystal發(fā)展至今在加拿大.ILSI晶振,IL3M晶振,IL3M-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.
| ILSI晶振規(guī)格 | 單位 | IL3M晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 | |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 32.768KHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ~ +85°C | 裸存 | |
| 工作溫度 | T_use | -40°C ~ +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 | |
| 激勵(lì)功率 | DL | 1µW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW | |
| 頻率公差 | f_— l | 
				±20 × 10-6  | 
			+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.luck-168.com.cn/ | |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±20 × 10-6 | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. | |
| 負(fù)載電容 | CL | 12.5pF(標(biāo)準(zhǔn)), | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. | |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW | |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 | |
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    存儲(chǔ)事項(xiàng)(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實(shí)例)
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。ILSI晶振,IL3M晶振,IL3M-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

	
		
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