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- 規格型號：92265167
- 頻率：25~175MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：Pletronics晶振,LV55J晶振,有源晶振,Pletronics晶振公司成立于1979年，有30多年的工程和制造經(jīng)驗，一流質(zhì)量的聲譽(yù)一流的oem和CEMs供應商的首選供應商?？焖夙憫獙こ毯弯N(xiāo)售咨詢(xún)的當日響應亞洲、歐洲和北美的制造業(yè)國...
Pletronics晶振,LV55J晶振,有源晶振
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Pletronics晶振,LV55J晶振,有源晶振,Pletronics晶振公司成立于1979年，有30多年的工程和制造經(jīng)驗，一流質(zhì)量的聲譽(yù)——一流的oem和CEMs供應商的首選供應商。亞洲、歐洲和北美的制造業(yè)
國際工程、物流和銷(xiāo)售支持
設計創(chuàng )新的記錄，有競爭力的價(jià)格和更短的交貨期
我們的目標是通過(guò)提供盡可能高的價(jià)格和價(jià)值來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的需求，從而滿(mǎn)足我們客戶(hù)的需求。
PLETRONICS公司致力于不斷提高產(chǎn)品產(chǎn)量，降低成本，提高客戶(hù)滿(mǎn)意度，滿(mǎn)足員工對培訓、安全和士氣的期望。
成為行業(yè)中晶體和振蕩器的最佳供應商。” 今天就像PLETRONICS成立于1979年一樣。我們的目標是卓越的品質(zhì)和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。 我們歡迎您與我們聯(lián)系，并與我們的一位非常博學(xué)的支持人員交談。 我們期待提供您需要的產(chǎn)品。
PLETRONICS已經(jīng)投資了石英晶體技術(shù)，為那些需要頻率控制設備的人提供最新的高容量產(chǎn)品。多創(chuàng )力已成立合資企業(yè)及子公司，提供最高頻率、高質(zhì)量的零部件。Pletronics晶振,LV55J晶振,有源晶振.
| 型號 | 符號 | LV55J晶振 |
| 輸出規格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 25~175MHZ |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40~+85℃,-20~+70℃ |
| 消耗電流 | ICC | 39mA max. |
| 待機時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 15μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱(chēng) | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.9V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點(diǎn)電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時(shí)間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時(shí)間 | tPZL | 10ms |
| 周期抖動(dòng)（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動(dòng)（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動(dòng) | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
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存儲事項(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(cháng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì )影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(cháng)期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會(huì )導致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì )破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號 焊接條件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-類(lèi)型，C-2-類(lèi)型，C-4-類(lèi)型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線(xiàn)保持平滑。
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Pletronics晶振,LV55J晶振,有源晶振,PLETRONICS晶振公司運用ISO14001環(huán)境管理系統進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對環(huán)境造成的負擔,并通過(guò)業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.PLETRONICS晶振環(huán)?；纠砟睿?br /> 1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境.遵守國內外的有關(guān)環(huán)保法規.
2.保護自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）壓電石英晶體、有源晶體資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
4為構建循環(huán)型社會(huì )做出貢獻,致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構建循環(huán)型社會(huì ).
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮壓電石英晶體、有源晶體、晶體振蕩器, 溫補晶振,石英晶體振蕩器等器件的綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì )的環(huán)境負荷做出貢獻.
6.建立環(huán)境管理系統,充分運用環(huán)境管理系統,設定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環(huán)境污染.
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