晶振電路
來(lái)源：http://www.luck-168.com.cn 作者：dgkjly 2012年05月24
晶振其實(shí)它有很多名字，晶振包含了石英晶振系列的簡(jiǎn)稱(chēng)，你可以稱(chēng)呼它為石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，壓電晶體等等。每種晶振使用都有著(zhù)不同之處，普通石英晶振，通常都是使用在一般的電器產(chǎn)品上，如電腦周邊的電子數碼產(chǎn)品，基本上都需要使用石英晶振，陶瓷晶振，32.768K表晶系列，就好比千赫晶體，32.768K通常是在電腦周邊產(chǎn)品起到時(shí)鐘控制作用，但是每一款石英晶振外面都需要串聯(lián)電阻及并列電容相匹配作用，使晶振發(fā)揮最大的頻率穩定作用。是晶體振蕩器的簡(jiǎn)稱(chēng)，在電氣上它可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò )，電工學(xué)上這個(gè)產(chǎn)品有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當的接近，在這個(gè)極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì )組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個(gè)壓控振蕩器的頻率也不會(huì )有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱(chēng)的諧振頻率?！?nbsp; 
一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶體振蕩器也分為無(wú)源晶振和有源晶振兩種類(lèi)型。無(wú)源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱(chēng)不同，無(wú)源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無(wú)源晶振需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號，自身無(wú)法振蕩起來(lái)，所以“無(wú)源晶振”這個(gè)說(shuō)法并不準確；有源晶振是一個(gè)完整的諧振振蕩器。諧振振蕩器包括石英（或其晶體材料）晶體諧振器，陶瓷諧振器，LC諧振器等。晶振與諧振振蕩器有其共同的交集有源晶體諧振器。 石英晶片所以能做振蕩電路（諧振）是基于它的壓電效應，從物理學(xué)中知道，若在晶片的兩個(gè)極板間加一電場(chǎng)，會(huì )使晶體產(chǎn)生機械變形；反之，若在極板間施加機械力，又會(huì )在相應的方向上產(chǎn)生電場(chǎng)，這種現象稱(chēng)為壓電效應。如在極板間所加的是交變電壓，就會(huì )產(chǎn)生機械變形振動(dòng)，同時(shí)機械變形振動(dòng)又會(huì )產(chǎn)生交變電場(chǎng)。一般來(lái)說(shuō)，這種機械振動(dòng)的振幅是比較小的，其振動(dòng)頻率則是很穩定的。但當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時(shí)，機械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現象稱(chēng)為壓電諧振，因此石英晶體又稱(chēng)為石英晶體諧振器。 其特點(diǎn)是頻率穩定度很高。 .jpg)
石英晶體振蕩器與石英晶體諧振器都是提供穩定電路頻率的一種電子器件。石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應來(lái)起振，而石英晶體諧振器是利用石英晶體和內置IC來(lái)共同作用來(lái)工作的。振蕩器直接應用于電路中，諧振器工作時(shí)一般需要提供3.3V電壓來(lái)維持工作。振蕩器比諧振器多了一個(gè)重要技術(shù)參數為：諧振電阻（RR），諧振器沒(méi)有電阻要求。RR的大小直接影響電路的性能，也是各商家競爭的一個(gè)重要參數。 概述微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類(lèi)：基于機械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；基于相移電路的時(shí)鐘源，如：RC (電阻、電容)振蕩器。硅振蕩器通常是完全集成的RC振蕩器，為了提高穩定性，包含有時(shí)鐘源、匹配電阻和電容、溫度補償等，給出了兩種時(shí)鐘源。給出了兩個(gè)分立的振蕩器電路，其中圖1a為皮爾斯振蕩器配置，用于機械式諧振器件，如晶振和陶瓷諧振槽路。圖1b為簡(jiǎn)單的RC反饋振蕩器。 圖1. 簡(jiǎn)單時(shí)鐘源：(a) 皮爾斯振蕩器 (b) RC反饋振蕩器 機械式諧振器與RC振蕩器的主要區別基于晶振與陶瓷諧振槽路(機械式)的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。相對而言，RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會(huì )在標稱(chēng)輸出頻率的5%至50%范圍內變化。圖1所示的電路能產(chǎn)生可靠的時(shí)鐘信號，但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇以及振蕩器電路布局的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線(xiàn)路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移(甚至可能損壞)。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾(EMI)、機械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì )增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會(huì )造成振蕩器停振。 振蕩器模塊 上述大部分問(wèn)題都可以通過(guò)使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類(lèi)型是晶振模塊和集成硅振蕩器。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。 功耗選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。 相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA至60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能，范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。 結論在特定的微控制器應用中，選擇最佳的時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。帝國科技在追求卓越發(fā)展的同時(shí)，愿跟各行業(yè)共探討元器件生產(chǎn)技術(shù)，和到應用知識，公司生產(chǎn)，石英晶振，陶瓷晶振，聲表面濾波器，聲表面諧振器，陶瓷霧化片系列產(chǎn)品。帝國科技擁有自己的工業(yè)園及萬(wàn)極高科技現代化生產(chǎn)車(chē)間，歡迎各界人士參觀(guān)指導。.jpg)
一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶體振蕩器也分為無(wú)源晶振和有源晶振兩種類(lèi)型。無(wú)源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱(chēng)不同，無(wú)源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無(wú)源晶振需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號，自身無(wú)法振蕩起來(lái)，所以“無(wú)源晶振”這個(gè)說(shuō)法并不準確；有源晶振是一個(gè)完整的諧振振蕩器。諧振振蕩器包括石英（或其晶體材料）晶體諧振器，陶瓷諧振器，LC諧振器等。晶振與諧振振蕩器有其共同的交集有源晶體諧振器。 石英晶片所以能做振蕩電路（諧振）是基于它的壓電效應，從物理學(xué)中知道，若在晶片的兩個(gè)極板間加一電場(chǎng)，會(huì )使晶體產(chǎn)生機械變形；反之，若在極板間施加機械力，又會(huì )在相應的方向上產(chǎn)生電場(chǎng)，這種現象稱(chēng)為壓電效應。如在極板間所加的是交變電壓，就會(huì )產(chǎn)生機械變形振動(dòng)，同時(shí)機械變形振動(dòng)又會(huì )產(chǎn)生交變電場(chǎng)。一般來(lái)說(shuō)，這種機械振動(dòng)的振幅是比較小的，其振動(dòng)頻率則是很穩定的。但當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時(shí)，機械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現象稱(chēng)為壓電諧振，因此石英晶體又稱(chēng)為石英晶體諧振器。 其特點(diǎn)是頻率穩定度很高。 石英晶體振蕩器與石英晶體諧振器都是提供穩定電路頻率的一種電子器件。石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應來(lái)起振，而石英晶體諧振器是利用石英晶體和內置IC來(lái)共同作用來(lái)工作的。振蕩器直接應用于電路中，諧振器工作時(shí)一般需要提供3.3V電壓來(lái)維持工作。振蕩器比諧振器多了一個(gè)重要技術(shù)參數為：諧振電阻（RR），諧振器沒(méi)有電阻要求。RR的大小直接影響電路的性能，也是各商家競爭的一個(gè)重要參數。 概述微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類(lèi)：基于機械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；基于相移電路的時(shí)鐘源，如：RC (電阻、電容)振蕩器。硅振蕩器通常是完全集成的RC振蕩器，為了提高穩定性，包含有時(shí)鐘源、匹配電阻和電容、溫度補償等，給出了兩種時(shí)鐘源。給出了兩個(gè)分立的振蕩器電路，其中圖1a為皮爾斯振蕩器配置，用于機械式諧振器件，如晶振和陶瓷諧振槽路。圖1b為簡(jiǎn)單的RC反饋振蕩器。 圖1. 簡(jiǎn)單時(shí)鐘源：(a) 皮爾斯振蕩器 (b) RC反饋振蕩器 機械式諧振器與RC振蕩器的主要區別基于晶振與陶瓷諧振槽路(機械式)的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。相對而言，RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會(huì )在標稱(chēng)輸出頻率的5%至50%范圍內變化。圖1所示的電路能產(chǎn)生可靠的時(shí)鐘信號，但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇以及振蕩器電路布局的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線(xiàn)路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移(甚至可能損壞)。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾(EMI)、機械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì )增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會(huì )造成振蕩器停振。 振蕩器模塊 上述大部分問(wèn)題都可以通過(guò)使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類(lèi)型是晶振模塊和集成硅振蕩器。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。 功耗選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。 相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA至60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能，范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。 結論在特定的微控制器應用中，選擇最佳的時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。帝國科技在追求卓越發(fā)展的同時(shí)，愿跟各行業(yè)共探討元器件生產(chǎn)技術(shù)，和到應用知識，公司生產(chǎn)，石英晶振，陶瓷晶振，聲表面濾波器，聲表面諧振器，陶瓷霧化片系列產(chǎn)品。帝國科技擁有自己的工業(yè)園及萬(wàn)極高科技現代化生產(chǎn)車(chē)間，歡迎各界人士參觀(guān)指導。
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