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首頁(yè)進(jìn)口晶振CM200C,CM250C晶振,西鐵城晶振,32.768K石英晶體,CM250C32000AZFT

    CM200C,CM250C晶振,西鐵城晶振,32.768K石英晶體,CM250C32000AZFT

  • 規格型號：51861264
  • 頻率：32.768~100.000KHZ
  • 尺寸：8.0*3.7*2.4mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述：產(chǎn)品"CM250C32000AZFT"廣泛應用詳情查看PDF

      CM200C,CM250C晶振,西鐵城晶振,32.768K石英晶體,"CM250C32000AZFT",貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統,產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

西鐵城晶振參數 符號 CM200C CM250C
公稱(chēng)頻率 f_nom 32.768kHz 30.0kHz~100.0kHz
頻率容許偏差 f_tol ±20ppm ±30ppm
頂點(diǎn)溫度 Ti 25±5ºC
保存溫度范圍 T_stg −55ºC to+125ºC
工作溫度范圍 T_use −40ºC to+85ºC
負載容量 CL 12.5pF Max
串聯(lián)電阻 R1 70kΩ max
絕對最大激勵等級 DL最大值 1μW Max
并聯(lián)電容 C 0 1.3pF typ
頻率老化程度 f_age ±5 x 10-6




     "CM250C32000AZFT",西鐵城提出的“為市民所喜愛(ài)、為市民做貢獻”的企業(yè)理念,是指通過(guò)“生產(chǎn)為市民所喜愛(ài)、為市民所親近的產(chǎn)品”,為全世界人民的美好生活做出廣泛貢獻.
     運用世界領(lǐng)先的小型精密技術(shù)發(fā)掘尚未被開(kāi)發(fā)出來(lái)的、符合人們期待和需求的產(chǎn)品及“新的款式“,不斷創(chuàng )造出實(shí)際價(jià)值.這就是西鐵城集團的“Micro Human Tech”——想象力和科學(xué)技術(shù)碰撞交融后的結晶.
    微型技術(shù),是我們的領(lǐng)域.
    人類(lèi),是我們的理念.
    科學(xué)技術(shù),是我們的基礎.
    以鐘表為出發(fā)點(diǎn),追求小型化及精密技術(shù),在生產(chǎn)、加工、組裝等領(lǐng)域不斷創(chuàng )造出領(lǐng)先于世界的高精度、微細技術(shù),展現西鐵城集團的“制造”的領(lǐng)域.
      "CM250C32000AZFT",石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場(chǎng)及負電場(chǎng)時(shí), 空間系統為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì )相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應正電場(chǎng)區域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場(chǎng)區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì )相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì )相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì )相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì )形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續給與能量, 石英材料就會(huì )與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應下氧原子的振幅與電場(chǎng)強度及電場(chǎng)對二氧化硅的向量角度有相對應的關(guān)系.在實(shí)際的應用上, 電場(chǎng)是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.


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