規格型號：47763539
頻率：1.0~80.0MHZ
尺寸：1.6*1.2mm
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產品描述：River石英晶振,FCXO-07貼片晶體,普通有源晶振,有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升：1.微調后調整頻率能控制在...

River石英晶振,FCXO-07貼片晶體,普通有源晶振,有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升：1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm；2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升；3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內,小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一.

晶振參數	型號FCXO-07
頻率范圍	1.000MHZ~80.000MHZ
負載電容	5pf,6pF,7pF or special
頻率偏差	±20ppm,±30ppm,±50ppm
工作溫度	-20~+70℃
儲存溫度	-40~+85℃
電壓電壓	1.8V,2.5V,3.3V
激進功率	200μW Max
串聯電阻（ESR）	100Ω Max

石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應正電場區域, 同時在硅原子上方產生感應負電場區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產生感應負電場,硅原子上方產生感應正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態. 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態, 祇要由電場持續給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應的關系.在實際的應用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.

大河公司是一種電子設備制造商,如石英晶體單位和石英晶體振蕩器.尤其是在SMD(表面安裝設備類型)型小型水晶設備,我們一直在優先業內領先的公司,積累了最初的知識.因此,我們從許多客戶贏得了信任,作為“小型大河.”

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River石英晶振,FCXO-07貼片晶體,普通有源晶振

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