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首頁(yè)進(jìn)口晶振HSX531S無(wú)源晶振,進(jìn)口臺灣加高晶體,貼片晶振

    HSX531S無(wú)源晶振,進(jìn)口臺灣加高晶體,貼片晶振

  • 規格型號:38621778
  • 頻率:8~80MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:臺灣加高產(chǎn)品技術(shù)方面,除了不斷提升既有產(chǎn)品規格的精密度及穩定性之外,我們更專(zhuān)注開(kāi)發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品、特殊應用領(lǐng)域之規格,并朝小型化開(kāi)發(fā)設計,以滿(mǎn)足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢.


     HSX531S無(wú)源晶振,進(jìn)口臺灣加高晶體,貼片晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機,無(wú)線(xiàn)通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

加高晶振參數 石英晶振HSX531S
標準頻率范圍 8~10MHZ 10~12MHZ 12~40MHZ 40~80MHZ
儲存溫度 -40°C ~+85°C
工作溫度 -10°C~ +60°C
激勵功率 10μW  (100μW  max)
精度 ±20 ppm
頻率穩定性 ±10ppm/-10~+60℃(Ref.to25℃)
±15ppm/-20~+70℃(Ref.to25℃)
±20ppm/-30~+80℃(Ref.to25℃)
拐點(diǎn)溫度 +25°C ±5°C
負載電容 Series,8pF,10pF,12pF or Specify
串聯(lián)電阻(ESR) 70kΩ Max




量測負性阻抗
     量測負性阻抗目的是避免振蕩器無(wú)法起振,振蕩器無(wú)法起振的原因是負性阻抗寬裕度不夠導致,為避免此現象發(fā)生于設計時(shí)負性阻抗一般至少是 ESR的三倍以上,反之若太小時(shí)則會(huì )發(fā)生偶爾不起振的現象發(fā)生.
     輸出端串接一個(gè)可變電阻,可變電阻調至最小,上電源讓電路正常動(dòng)作,調整可變電阻,將之調大,直至振蕩器不起振,確定不起振后,再將可變電阻轉小,觀(guān)測波形,持續將可變電阻調小到振蕩器開(kāi)始振蕩波形正常后,關(guān)閉電源,再打開(kāi)電源,若振蕩器依舊可以起振,這時(shí)候可變電阻上的阻抗值再加上2儀器所測得振蕩器單體的電阻值即為負性阻抗值.
負載電容匹配
     1.于振蕩電路產(chǎn)生的振蕩回路來(lái)看,不同的負載電容會(huì )有不同程度頻率飄移,因此設計時(shí)必須針對產(chǎn)品實(shí)際的負載電容做量測以確定是否與當初設計規格一致
     2.理論值負載電容計算方式如下,由C51 C52計算串聯(lián)電容后加上離散電容等于實(shí)際的負載電容,雜散電容內含PCB Layout、芯片電極等等因素造成.
         CL = C51 * C52 / (C51 + C52) + C0 + Cs;
         Note: Cs refers to on board stray capacitance.
     加高晶體承諾所有的運作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認知環(huán)保與社會(huì )責任的標準,成為一個(gè)創(chuàng )造股東最大權益、照顧員工、善盡社會(huì )責任的好公司. 我們將持續關(guān)注企業(yè)社會(huì )責任各項新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì )責任所有面向. 對內,我們將透過(guò)各種教育訓練與活動(dòng),用心創(chuàng )造一個(gè)多元且充滿(mǎn)活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動(dòng)); 對外,本公司透過(guò)與利害相關(guān)團體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì )責任活動(dòng),持續投入社會(huì )公益,降低對社會(huì )環(huán)境之沖擊.

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