您好，歡迎光臨帝國科技！
產(chǎn)品分類(lèi)
PRODUCT
PRODUCT
- 國產(chǎn)晶振
- 聲表面濾波器
- 石英晶體
- 石英晶振
- 貼片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 陶瓷霧化片
- 進(jìn)口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 愛(ài)普生晶振
- 西鐵城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本進(jìn)口NDK晶體
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶體
- 臺灣鴻星晶體
- 美國CTS晶體
- 微孔霧化片
- 加高晶振
- 希華石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
帝國博客
更多>>
- 規格型號：12815799
- 頻率：80.0~170.0MHZ
- 尺寸：7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述：VG-4511CA石英晶體振蕩器,EPSON有源晶振,智能家居晶振,溫補晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5PPM~2.0PPM,工作溫度范圍:-40度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度...
VG-4511CA石英晶體振蕩器,EPSON有源晶振,智能家居晶振
.jpg)
VG-4511CA石英晶體振蕩器,EPSON有源晶振,智能家居晶振,溫補晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作溫度范圍: - 40度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無(wú)線(xiàn)通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.
| 晶振參數 | 符號 | VG-4511CA |
| 標準頻率 | fo | 80.0MHZ to 170.0MHZ |
| 電源電壓 | Vcc | 3.3V±0.165V |
| 存儲溫度 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 工作溫度 | T_use | G:-40℃~+85℃,J:-20℃~+70℃,K:0℃~+70℃ |
| 頻率公差 | F_tol | ±50 × 10-6 Max |
| 電流消耗 | Icc | 60mAMAX |
| 絕對拉力范圍 | APR | H:±100 × 10-6 Min,G: ±50 × 10-6 Min |
| 輸入電阻 | Rin | 100KΩ Min |
| 對稱(chēng)性 | SYM | 45% to 55% |
| 輸出負載 | L_ECL | 50Ω |
| 輸出電壓 | VOH | Vcc-1.1V Min |
| VOL | Vcc-1.5V Max | |
| 上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 1.0ns Max |
| 啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 10ms Max |
| 頻率老化 | F_aging | ±25℃，Vcc=3.3V,20 years |
.jpg)
激勵功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅動(dòng)力,會(huì )導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率.
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì )增加.
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容.
愛(ài)普生集團通過(guò)追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來(lái)推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)?；顒?dòng),把降低 環(huán)境負荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.
創(chuàng )造并提供專(zhuān)研了“省、小、精”的水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構筑和革新既可以降低 環(huán)境負荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng).
不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基 準,通過(guò)持續性的展開(kāi)環(huán)?；顒?dòng)來(lái)預防污染.
在設定環(huán)保目的與目標展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?；顒?dòng)的水平.
通過(guò)與地區的交流及社會(huì )貢獻活動(dòng),為地區的環(huán)保做貢獻.
將環(huán)?；顒?dòng)的信息向公司內外公開(kāi),積極努力的與地區社會(huì )及相關(guān)人員建立信賴(lài)關(guān)系,為社會(huì )的發(fā)展做出貢獻.
通過(guò)此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達的同時(shí), 也向公司外部公開(kāi).
深圳市帝國科技有限公司SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
聯(lián)系人：譚蘭艾 手 機：86-13826527865
電 話(huà)：86-0755-27881119 QQ：921977998
E-mail：dgkjly@163.com
網(wǎng) 址：www.luck-168.com.cn
地 址：中國廣東省深圳市寶安區西鄉大道新湖路
業(yè)務(wù)經(jīng)理
