在性能穩定的貼片晶振不斷涌現的今天,逆變器放大器的出現,使得晶振本身的性能有著(zhù)不斷發(fā)展的空間,同樣重要的是要指出，逆變器放大器的gm通常在器件與晶圓之間具有±5％至>±15％的擴展。因此，晶體諧振器設計必須適應現實(shí)世界的容差效應。Abracon在開(kāi)發(fā)分別為2.0x1.2x0.6mm和3.2x1.5x0.9mm的ABS06W和ABS07W系列彎腳音叉晶體時(shí)考慮了上述特定變量。
為了獲得最佳的在線(xiàn)性能，Abracon對電極圖案進(jìn)行了優(yōu)化，以降低C0的整體影響，使得最大保證（電極+封裝）電容在2.0x1.2x0.6mm封裝中為2.0pF，并且業(yè)界領(lǐng)先于1.30pF采用3215晶振封裝。
  憑借革命性的空白設計和加工技術(shù)，Abracon能夠在-40°C至+125°C的擴展工作溫度范圍內顯著(zhù)降低這些解決方案的ESR;同時(shí)將電鍍負荷降至行業(yè)領(lǐng)先3.0pF。Abracon采用獨特的生產(chǎn)調整技術(shù)，在室溫下收緊設定公差和ESR分布。
圖6A至6D描繪了Abracon最小化這些解決方案的ESR值的能力;同時(shí)將電鍍負載降低到行業(yè)領(lǐng)先3.0pF。應該注意的是，大多數消費市場(chǎng)/物聯(lián)網(wǎng)終端解決方案的工作溫度范圍為-20°C至+70°C。在這個(gè)較窄的工作范圍內，石英晶體諧振器具有極低的ESR值;利用當今的節能硅片進(jìn)一步提高內部增益。   Abracon已采取措施確保在-40°C至+125°C的整個(gè)工作范圍內實(shí)現最佳的ESR性能，并且是唯一能夠在更寬的工作溫度范圍內保證ESR性能值的OEM。Abracon還認識到需要采用這些設計，工藝和生產(chǎn)技術(shù)，并成功實(shí)施這些技術(shù)，以提供MHz范圍內廣泛的物聯(lián)網(wǎng)優(yōu)化壓電石英晶體。由于一個(gè)軟件包無(wú)法滿(mǎn)足所有端到端形式因素的需求，因此Abracon開(kāi)發(fā)了以下解決方案，以滿(mǎn)足全面的市場(chǎng)需求：   Abracon晶振能夠以業(yè)界領(lǐng)先的4.0pF電鍍電容制造這些解決方案，同時(shí)將ESR保持在最低可能值，確保這些解決方案不僅能夠與當今的22nm或14nmFinFET技術(shù)良好匹配，更重要的是，這些解決方案經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可確保最佳性能下一代解決方案包括5nm節點(diǎn)在不久的將來(lái)。圖8A至8D中的數據概述了Abracon的MHz，IoT優(yōu)化石英晶體在4.0pF負載下的優(yōu)異性能：   Abracon的能力：
•保證（電極+封裝電容）“C0”最大2.0pF
•精確鍍覆QuartzBlanks@4.0pF電鍍負載，小至1.6x1.2x0.4mm封裝
•同時(shí)降低晶體的ESR共同代表了商品價(jià)格優(yōu)化石英晶體性能的范式轉變。
這種能力使閉環(huán)增益裕度（GM）顯著(zhù)增強，具有現有的22nm或14nm節點(diǎn)，并確保了下一代10nm，7nm甚至5nmFinFET硅的穩健性能。下面比較在4.0pF和10.0pF下鍍有C0=2pF的晶體之間的比較清楚地概述了這個(gè)優(yōu)點(diǎn)。