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更多>>石英諧振器的頻率調整問(wèn)題及其他參數
來(lái)源：http://www.luck-168.com.cn 作者：壹兆電子 2019年01月03
貼片石英晶體諧振器,又簡(jiǎn)稱(chēng)為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤(pán)式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機高的速的焊接,大大節約人工,提高的工作效率,Statek公司率先使用光刻,化學(xué)蝕刻和微機械加工等半導體技術(shù)制造晶圓形式的石英諧振器。其本身主要應用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準信號,其主要各項功能還得看應用何種產(chǎn)品,如今，Statek晶振始終處于設計，開(kāi)發(fā)和制造高可靠性，超微型石英頻率控制產(chǎn)品的創(chuàng )新前沿。
雖然晶片上各個(gè)諧振器的頻率彼此非常接近，但變化可以高達1％。這種變化歸因于晶片厚度的不均勻性（楔入），并且在較小程度上歸因于金屬化厚度的不均勻性。晶片上諧振器的頻率變化在其產(chǎn)生中得到考慮，使得每個(gè)諧振器現在位于所需的最終頻率之上。然后，使用晶圓背板，在每個(gè)進(jìn)口諧振器的電極上沉積一層金薄膜，使其頻率降至最終頻率。
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晶片背板的目的和概念類(lèi)似于石英晶體諧振器的通常背板，通過(guò)沉積金來(lái)實(shí)現封裝控制的頻率降低。關(guān)鍵的區別在于晶圓背板系統的定位要精確得多。在諧振器已經(jīng)在封裝中的情況下，可以將諧振施加到諧振器的精度受到諧振器可以放置在封裝中的精度的限制（除非使用圖像識別系統）。在諧振器仍然在晶片上的情況下，每個(gè)諧振器的位置是固定的并且是已知的。
此外，雖然在兩種情況下，金通過(guò)一系列孔沉積在諧振器的電極上，但在晶片背板中，將諧振器電極暴露于金噴射的孔本身是石英晶片，其使用與石英相同的工藝制造。晶體晶片并使用與生成晶體晶片相同的掩模圖案。因此，孔徑晶片的尺寸和公差是晶體晶片的尺寸和公差，并且兩者的對準優(yōu)于25μm。
由于晶片上的每個(gè)諧振器的位置是固定且已知的，晶片背板系統可以使用晶片上的探針焊盤(pán)探測每個(gè)諧振器，然后單獨地自動(dòng)地背板化每個(gè)諧振器.
在將晶片上的所有諧振器調節到所需頻率之后，將每個(gè)陶瓷諧振器移除并安裝在陶瓷封裝中。該操作使用半自動(dòng)組裝設備進(jìn)行，該設備從晶片上沖出并拾取晶體，同時(shí)在晶體封裝上分配導電環(huán)氧樹(shù)脂。然后將晶體定位并放置在晶體封裝腔中。（參見(jiàn)圖1）然后使用匹配的玻璃或陶瓷蓋將該子組裝的晶體密封。
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回想一下，晶體的隔離模式被電模擬為與電感L1，電容C1和電阻R1的串聯(lián)組合并聯(lián)的電容C0。主要是超微型AT晶體與其較大的同類(lèi)晶體的區別在于較大的串聯(lián)電阻R1??和較小的串聯(lián)電容C1（均由于電極面積較?。?。在表1中，我們給出了三種不同頻率的三種CX-4 AT晶體的電參數。使用這些值來(lái)表示其較大的CX-1對應物（此處未給出），我們發(fā)現R1大約是其較大CX-1對應物的兩到三倍，而C1大約是其值的一半到三分之一CX-1。
在圖4中的超小型晶體的阻抗掃描中可以看到，這種進(jìn)口晶振在電學(xué)上表現良好，其基本模式與其他模式完全分離。在頻帶中約為晶體基波的5％。頻率只有一個(gè)非諧波模式可見(jiàn)。該模式的電阻足夠高，并且與主模式（頻率）相距足夠遠，其影響可以忽略不計。
雖然晶片上各個(gè)諧振器的頻率彼此非常接近，但變化可以高達1％。這種變化歸因于晶片厚度的不均勻性（楔入），并且在較小程度上歸因于金屬化厚度的不均勻性。晶片上諧振器的頻率變化在其產(chǎn)生中得到考慮，使得每個(gè)諧振器現在位于所需的最終頻率之上。然后，使用晶圓背板，在每個(gè)進(jìn)口諧振器的電極上沉積一層金薄膜，使其頻率降至最終頻率。
此外，雖然在兩種情況下，金通過(guò)一系列孔沉積在諧振器的電極上，但在晶片背板中，將諧振器電極暴露于金噴射的孔本身是石英晶片，其使用與石英相同的工藝制造。晶體晶片并使用與生成晶體晶片相同的掩模圖案。因此，孔徑晶片的尺寸和公差是晶體晶片的尺寸和公差，并且兩者的對準優(yōu)于25μm。
由于晶片上的每個(gè)諧振器的位置是固定且已知的，晶片背板系統可以使用晶片上的探針焊盤(pán)探測每個(gè)諧振器，然后單獨地自動(dòng)地背板化每個(gè)諧振器.
在將晶片上的所有諧振器調節到所需頻率之后，將每個(gè)陶瓷諧振器移除并安裝在陶瓷封裝中。該操作使用半自動(dòng)組裝設備進(jìn)行，該設備從晶片上沖出并拾取晶體，同時(shí)在晶體封裝上分配導電環(huán)氧樹(shù)脂。然后將晶體定位并放置在晶體封裝腔中。（參見(jiàn)圖1）然后使用匹配的玻璃或陶瓷蓋將該子組裝的晶體密封。
在圖4中的超小型晶體的阻抗掃描中可以看到，這種進(jìn)口晶振在電學(xué)上表現良好，其基本模式與其他模式完全分離。在頻帶中約為晶體基波的5％。頻率只有一個(gè)非諧波模式可見(jiàn)。該模式的電阻足夠高，并且與主模式（頻率）相距足夠遠，其影響可以忽略不計。
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此文關(guān)鍵字： Statek晶振，石英晶體諧振器進(jìn)口晶振
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