規(guī)格型號：26253102
頻率：25~500MHz
尺寸：2.5×2.0×0.74mm
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產(chǎn)品描述：愛普生晶振,SG2520VHN晶振,有源六腳晶振,日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(EpsonToyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限...

愛普生晶振,SG2520VHN晶振,有源六腳晶振,日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).愛普生已經(jīng)建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價值,并決定使用這個模型來驅(qū)動前面提到的四個關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.
愛普生晶振,SG2520VHN晶振,有源六腳晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把SMD晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.

晶振參數(shù)	符號	SG2520VHN
標(biāo)準(zhǔn)頻率	fo	25~500MHZ
電源電壓	Vcc	+3.3V~+5V +2.5V~+5V
存儲溫度	T_stg	-55℃~+125℃
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃ -40℃~+105℃
頻率初期公差	F_tol	±20×10^-6 Max
待機(jī)電流	I_std	30 uA MaX. 60 uA MaX
輸出負(fù)載	L_CMOS	15pF Max
輸出電壓	VOH	Vcc-1.1V Min
輸出電壓	VOL	Vcc -1.5V Max
上升/下降時間	tr/tf	0.35 ns Max
啟動時間	T_str	10 ms Max

愛普生晶振,SG2520VHN晶振,有源六腳晶振
電源處理

將電源連接到晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英工業(yè)級晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源低功耗晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機(jī)械處理

當(dāng)耐高溫晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致溫補(bǔ)晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.

負(fù)載電容

有源高頻晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將石英環(huán)保晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

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