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更多>>- 規格型號:6951721
- 頻率:73.5~700MHz
- 尺寸:7.0×5.0×1.4mm
- 產(chǎn)品描述:愛(ài)普生晶振,SG7050EAN晶振,"SG7050EAN 125.000000M-KEGA3"高性能晶振,在2010年全球晶振廠(chǎng)家排名中,占據首位.愛(ài)普生僅此一項水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱(chēng)霸晶振行業(yè),主...
愛(ài)普生晶振,SG7050EAN晶振,高性能晶振,SG7050EAN 125.000000M-KEGA3


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愛(ài)普生晶振,SG7050EAN晶振,高性能晶振,"SG7050EAN 125.000000M-KEGA3",在2010年全球晶振廠(chǎng)家排名中,占據首位.愛(ài)普生僅此一項水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱(chēng)霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛(ài)普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達到人無(wú)完人,史前無(wú)例,實(shí)現以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導體(IC)稱(chēng)之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認為晶體元器件更是離不開(kāi)的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩定、高精度晶體元器件的開(kāi)發(fā),為現有的應用程序以及生活新藍圖開(kāi)拓廣闊前景.
溫補晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5PPM~2.0PPM,工作溫度范圍:-30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無(wú)線(xiàn)通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.
愛(ài)普生晶振,SG7050EAN晶振,高性能晶振,石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線(xiàn),使真空室溫度跟隨設定曲線(xiàn)對晶體組件進(jìn)行退火,石英貼片晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

晶振參數 | 符號 | SG7050EAN |
標準頻率 | fo | 73.5~700MHZ |
電源電壓 | Vcc | +2.5V ~+3.3V |
存儲溫度 | T_stg | -40℃ ~ +125℃ |
工作溫度 | T_use |
-20℃ ~ +70℃ -40℃ ~ +85℃ |
頻率初期公差 | F_tol | ±20,±30,±50,×10-6 Max |
輸出電壓 | VOH | Vcc-1.0~-0.8V Min |
VOL | Vcc-1.78~-1.62V Max | |
上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 350 ns Max |
啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 3 ms Max |
頻率老化 | F_aging | ±5×10-6 /years Max |



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愛(ài)普生晶振,SG7050EAN晶振,高性能晶振,耐焊性,"SG7050EAN 125.000000M-KEGA3"
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英進(jìn)口晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì )破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個(gè)規定的負載阻抗值.當一個(gè)值除了規定的一個(gè)設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì )滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì )導致問(wèn)題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量?jì)x器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量?jì)x器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強烈的外置撞擊都將會(huì )導致高頻晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會(huì )降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì )導致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.


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