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帝國博客
更多>>- 規格型號:62841280
 - 頻率:4~70MHZ
 - 尺寸:5.0*3.2mm
 - 產品描述:FMI晶振,FMVC5S3晶振,FMVC5S300AS/T-16.000M-CM晶振,壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用:SDH/SONET,以太網,基站,筆記本晶振應...
 
FMI晶振,FMVC5S3晶振,FMVC5S300AS/T-16.000M-CM晶振
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    FMI晶振,FMVC5S3晶振,FMVC5S300AS/T-16.000M-CM晶振,壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用:SDH/SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛.高可靠性-極端溫度晶體,振蕩器和傳感器,適用于極端環境條件,包括高沖擊和振動,極端溫度和高壓.我們的晶體振蕩器產品提供標準和定制表面貼裝(SMT,SMD)和通孔封裝.
此外,FMI目前向各種商業/工業細分市場供應產品,包括:計算機外圍設備,工業儀器儀表,LAN/WAN,光網絡,過程控制,電信和無線產品.我們專注于高質量的壓控溫度補償晶體振蕩器(VCTCXO),壓控晶體振蕩器(VCXO),溫度補償晶體振蕩器(TCXO),晶體時鐘振蕩器(XO)和石英晶體采用表面貼裝和通孔封裝.我們提供晶體和晶體振蕩器產品的定制解決方案,從概念到交付快速周轉.
我們對卓越的承諾不僅體現在我們的頻率控制產品中,而且體現在我們所有客戶的服務水平上.對于高可靠性頻率控制解決方案和無可挑剔的服務,請始終關注頻率管理國際.
FMI-在頻率控制設備的設計和制造方面提供卓越的解決方案,包括封裝石英晶體,晶體時鐘振蕩器(XO),壓控晶體振蕩器(VCXO),
溫度補償晶體振蕩器(TCXO),電壓控制,溫度補償晶體振蕩器(VCTCXO),鎖相源等.我們的極端環境設備包括-高溫石英晶體,高溫振蕩器,以及用于空間和軍事應用的高溫傳感器和卓越解決方案.FMI晶振,FMVC5S3晶振,FMVC5S300AS/T-16.000M-CM晶振.

| Parameter | Specification | |
| Frequency Range | 4 - 70 MHz | |
| Overall Frequency Tolerance | 
				±25 ppm to ±100 ppm (Inclusive of Operating Temp., Supply Voltage, & Load)  | 
		|
| Operating Temperature Range | 0 to +70°C Std., -40 to +85°C Avail. | |
| Storage Temperature | -55 to +125°C | |
| Supply Voltage (Vdd) | +5.0 Vdc (±0.5 Vdc) | |
| Supply Current (Icc) | 
				20 mA max. @ 4 to 23.9 MHz 40 mA max. @ 24.0 to 49.9 MHz 50 mA max. @ 50.0 to 70.0 MHz  | 
		|
| Symmetry (Duty Cycle) | 40/60% Std., 45/55% Avail. (See Spec. Option S) | |
| Output “0” Level (V OL ) | 
				0.4 Vdc max. (TTL) 0.5 Vdc max. (HCMOS)  | 
		|
| Output “1” Level (V OH ) | 
				2.4 Vdc min. (TTL) 4.5 Vdc min. (HCMOS)  | 
		|
| Rise and Fall Time | 3ns max. < 5 ns typical | |
| Jitter | 
				Absolute: ±100 pSec Max One Sigma: ±25 p Sec Max  | 
		|
| Start Time | 10 ms max. < 5 ms typical | |
| Output Load | 10 TTL / 15 pF HCMOS | |
| 
				Pin 1 Options (See Spec. Option T below)  | 
			
				No Connect (Std.) Tri-State (option T) VIH: 2.2 V or Open Enables Output VIL: 0.8 V Disables Output Output Disable/Enable Time: 100 nS max.  | 
		|
| Aging @ 25°C | ±5 ppm max first year | |
| All specifications subject to change without notice. | ||
     耐焊性:
	      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
	粘合劑
	請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
	機械振動的影響
	當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作. 
	熱影響
	重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
	安裝方向
	振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
	通電
	不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
	負載電容
	有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).FMI晶振,FMVC5S3晶振,FMVC5S300AS/T-16.000M-CM晶振.
	
		
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