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- 規(guī)格型號：7397099
- 頻率：13.5~170MHZ
- 尺寸：3.2*2.5mm
- 產(chǎn)品描述：Pletronics晶振,LV44F晶振,LV44G晶振,LVDS輸出晶振,Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗.所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲...
Pletronics晶振,LV44F晶振,LV44G晶振,LVDS輸出晶振
航欄(10).jpg)
Pletronics晶振,LV44F晶振,LV44G晶振,LVDS輸出晶振,Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗.所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設(shè)計創(chuàng)新,價格競爭有優(yōu)勢,訂貨交期時間短在業(yè)界具有較好的聲譽.2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動,低電源電壓,低功耗等特點.
2005年第一個合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動等特點.適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無線電基站, 北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進(jìn)100fs超低抖動的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器, 北斗導(dǎo)航溫補晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強(qiáng)TCVCXO壓控溫補晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進(jìn)了50fS超低抖動的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補晶體振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）.Pletronics晶振,LV44F晶振,LV44G晶振,LVDS輸出晶振.
| 型號 | 符號 | LV44F晶振 |
| 輸出規(guī)格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 13.5~110MHz |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40~+85℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
| 型號 | 符號 | LV44G晶振 |
| 輸出規(guī)格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 10.9~670MHz |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40~+85℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40?+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
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存儲事項(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號 焊接條件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。
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Pletronics晶振公司運用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動對環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.Pletronics晶振環(huán)保基本理念：
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）壓電石英晶體、有源晶體資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.Pletronics晶振,LV44F晶振,LV44G晶振,LVDS晶振.
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